[参考译文] TPS7A60-Q1：LDO 器件建议

您好、Gene、

对于此应用、我们通常建议使用 TPS7B63-Q1或 TPS7B82-Q1。 您会注意到、此应用具有很大的功率耗散。 为了提高 LDO 的性能、可以在 LDO 之前串联一个功率电阻器。 这将分散功率耗散、并使 LDO 能够在低于 LDO 所有功率耗散的结温下运行。

请记住、这些 LDO 的主要散热器是 GND 层。 因此、当您朝着 PCB 布局布线的方向移动时、最大限度地增加连接到 LDO 的 GND 平面非常重要。

非常尊重、
Ryan

感谢您的回复！ 对于在 LDO 之前串联的功率电阻器、您提到的内容非常有用。
还有一个问题：我们是否需要考虑 RθJA Ω 结至环境热阻，因为 TPS7A60-Q1是25°C/W，比 TPS7B63-Q1 (40°C/W)低？

您好、Gene、

最好仍然考虑热指标；但是、请务必记住、热指标是在 JEDEC 高 K 电路板上建模的。 LDO 的实际热性能会因应用特定因素而异、例如布局和与其他热源的接近程度。

通过使用外部功率电阻器来耗散部分功率、您可能会补偿 TPS7A60-Q1和 TPS7B63-Q1之间的 θ JA 增量。 我们建议您使用 TPS7B63-Q1来提高性能并简化设计。 请记住、由于 TPS7B63-Q1的最小 Vin 较低、因此您可以在 TPS7B63-Q1之前放置一个更大的功率电阻器、以便在 LDO 之前在电阻器中消耗更多功率。

非常尊重、
Ryan