[参考译文] TPS7B68-Q1：PG 和 WDO 的驱动能力

你好、Takao、

这些输出为漏极开路。 请查看数据表的第7.2节、了解这意味着什么。 这些输出需要一个电源电压的拉电阻器！

如果内部 MOSFET 导通、则输出为低电平、并提供一条到 GND 的低欧姆路径。 数据表显示、如果5mA 的电流流入 MOSFET、输出电压最高可达0.4V。 当您将1k 上拉电阻器连接到5V 电源电压时、就会出现这种情况。

另一方面、如果内部 MOSFET 关断、则输出为高电平。 数据表1µA、在这种情况下、高达1 μ A 的泄漏电流可以流入输出端。

Kai

你好、Takao、

MOSFET 的驱动能力将取决于您的系统可以承受的低电平输出电压。 开漏 MOSFET 被设计成在有5mA 电流流经 FET 时具有0.4V 的输出电压。 该电压随电流呈线性变化、因此如果电流减小、低电平输出电压也会降低。 我附加了一个图、显示了低电平输出电压与电流之间的关系。 此图将应用于 WDO 和 PG、因为它们在相同额定电流下具有相同的最大 VOL。

如果您有任何其他问题、请告诉我。

此致、

标记

你好、Takao、

如果选择100k 上拉电阻、则最大输出泄漏电流1µA μ A 会导致上拉电阻上的压降0.1V。 因此、当输出为高电平时、输出电压将比 Vcc 小0.1V。 这在您的应用中应该是可以的。

另一方面、如果输出为低电平、输出电压将遵循 Mark 图片的红色图形、表示输出电压远小于0.1V。 这在您的应用中也应该正常。

Kai