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[参考译文] BQ34Z100-G1:无法读取系统数据

Guru**** 2455360 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ34Z100-G1, EV2400, BQSTUDIO

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/672696/bq34z100-g1-reading-system-data-not-possible

器件型号:BQ34Z100-G1
主题中讨论的其他器件: EV2400BQSTUDIO

大家好、

我们使用的是具有 EV2400和 BQ34Z100-G1的 Battery Management Studio。 在 OUT 应用器件固件中、我们实现了为制造商数据添加红色标记的可能性。 我们只想读取它。 将通过 Battery Management Studio 完成设置。 问题是、当进入系统数据并尝试在块 A 中写入内容时、程序返回错误。 我们尝试了密封、非密封和非密封的完全访问。 所有写入块 A 字节的情况都失败。

我们在这里缺少什么?

感谢您的帮助。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Lukasz:

    测量仪表应采用"未密封"或"完全访问模式"、以便将数据写入模块 A

    您必须放入校验和数据才能 将值写入块

    数据闪存写入(特定数据写入)
    从器件地址 命令 数据(子命令) <=写入
    0xAA 0x61 0x00 <=使能 blockdata()以访问常规数据闪存(数据00是固定值以使能块数据闪存控制)
    0xAA 0x3E 0x3A (示例:子类58) <=DataflashClass()命令(0x3E),3A 是数据存储器中的 DataSubclass
    0xAA 0x3F 0x00 <=…Dataflashblock()命令(0x3F)写入块偏移位置(0至31使用偏移量0x00、32至63使用偏移量0x01 μ V)
    0xAA 0x40 0xDATA 置位 <=Write 0x data set to 0x40 blockdata()。 该数据被传输到0x3A、偏移量00位置
    当整个块(0x40到0x5F)的正确校验和被写入 blockdatachecksum()(0x60)时、数据被传输到数据闪存
    0xAA 0x60 0xchecksumdata <=编写由 MIB.xls 校验和计算器计算的校验和数据

    e2e.ti.com/.../Checksum-calculator.xlsx

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    大家好、感谢您的回答、

    下面是我使用公式发送的命令的屏幕截图:

    之后、我尝试读取块 A 数据、但它全部是00、而不是我所写的01 02 03。 我发送的命令是否正确?

    我希望得到进一步的支持。

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    尊敬的 Lukasz:

    您的命令正确。

    我可以看到块 A 数据 已更改。 在仪表板中禁用自动刷新并禁用睡眠模式后,是否会重试?

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    您好贾斯珀、

    我们无法使用 BQ Studio 将数据写入 Pack 配置寄存器。 在此之前、我们已对器件进行了解封。 我们是否需要采取任何其他步骤?

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    尊敬的 Lukasz:

    如果数据是非密封的、则可以在 DF 中写入数据。 由于您可以读取数据存储器、因此您的监测计看起来是未密封的。

    您是否会重新启动 bqStudio,因为底部有一条红色的错误消息?  请在  TI 网站上将 bqStudio 升级到1.3.80

    http://www.ti.com/tool/bqstudio?keyMatch=bqstudio&tisearch=Search-EN-Everything