[参考译文] BQ24725A：无法在12伏以上充电。 任何超过12V 的电压都会关闭输入 FET

将5m Ω 感应电阻器更改为10m Ω、并将电感器电流从3.3uH 更改为4.7uH 不应影响输出电压环路调节。

'在不关闭输入 FET 的情况下、充电电压不会超过12伏。'
您是否会提供有关"关闭输入 FET "的更多详细信息？ 您是说在关闭输入 FET 后输出电压上升吗？

感谢您提供相关信息。  我一直在使用 BQ 评估软件来设置选项、充电电流、充电电压和输入电流寄存器。  当我设置电压寄存器时、我可以高达大约12V (通过连接电池的仪表进行验证)。  如果我尝试将其设置为13V、仪表将关闭、我检查输入 FET、它们是否关闭(ACFET)。  如果我尝试将电压设置回12V 或更低、则不会发生任何情况、我必须重启 PCBA 并重新启动。   

希望这对您有所帮助

现在、让我们调试一下将输出限制为12V 的保护或环路控制。
输入电压是多少？ 什么是电池电压？ 睡眠比较器(VCC 至 SRN 比较器)是否关闭 ACFET？
2、当 ACFET 关断时、ACOK 电压和 ACDET 电压是多少？
是否可以禁用 IFAULT_HI 并将 IFAULT_LOW 设置为"1"？
ACFET 的额外 CGS 和 CGD 值是多少？ 您可以分享充电器部分原理图吗？

我将收集所要求的信息。  此处提供了原理图：

很抱歉、上周东北地区的天气让我离开实验室几天。  对您的问题的回答：

输入电压是多少？ 什么是电池电压？ 睡眠比较器(VCC 至 SRN 比较器)是否关闭 ACFET？  

输入电压为24V、电池电压是我们尝试设置的电压。

使用示波器测量的 VCC 至 SRN、当我将输出电压设置为12.288V 时、大约为11.2V。  当我尝试将输出电压设置为13.312V 时、这会在发生这种情况之前跳至~22.5V、但会降至10.2V。  这不应处于睡眠模式、那么正确吗？

2、当 ACFET 关断时、ACOK 电压和 ACDET 电压是多少？

ACOK = 3.3V (在10k 时上拉)

ACDET = 2.77V

是否可以禁用 IFAULT_HI 并将 IFAULT_LOW 设置为"1"？

这似乎是可行的。  但是、我不需要在前面提到的设置上执行此操作(使用不同的电感器和感应电阻器)。  您会建议我从哪里开始对为什么要跳过 IFAULT 进行故障排除？

ACFET 的额外 CGS 和 CGD 值是多少？ 您可以分享充电器部分原理图吗？

更改了这些值以与您之前声明的值相匹配(GGS 更改为0.047uF、CGD 更改为1000pF)。  性能没有变化。

谢谢、Mike

感谢测试结果。 从项目3中、我们知道根本原因是 IFAULT。 现在、我们可以继续研究 IFAULT 的根本原因：
a.禁用 IFAULT_HI 并将 IFAULT_LOW 设置为"1"：哪一个有效？
b.检查 HIFET；LOFET 栅极驱动波形和开关节点波形、以确保：

在 HIFET 和 LOFET 之间无击穿

当  HIDRV 或 LODRV 信号开始导通时、HIFET 或 LOFET 会在100ns 内导通。

谢谢、请查看红色的评论。

[引用用户="Wang5577"]

感谢测试结果。 从项目3中、我们知道根本原因是 IFAULT。 现在、我们可以继续研究 IFAULT 的根本原因：
a.禁用 IFAULT_HI 并将 IFAULT_LOW 设置为"1"：哪一个有效？   IFAULT_HI 似乎是问题的原因
b.检查 HIFET；LOFET 栅极驱动波形和开关节点波形、以确保：   

以下是与 BQ Bench 测试软件配合使用的设置：

-选项寄存器设置为0x9832 (禁用 IFAULT_HI、LO 为135mV

-充电电流= 4096mA

-输入电流= 8064mA

-充电电压= 16800mV

**实际上没有安装电池，因此没有充电电流流动。

所有范围照片上的颜色：

－黄色是 TOPFET，Vgs

蓝色表示 TOPFET、VDS

紫色是 BOTFET、Vgs

绿色是 BOTFET、VDS

在 HIFET 和 LOFET 之间无击穿

未充电时拍摄-顶部 Vgs 与 BOT Vgs 的时序

 

在无充电时拍摄-顶部 VDS 与 BOT VDS 的时序(这应显示任何击穿)

 

当  HIDRV 或 LODRV 信号开始导通时、HIFET 或 LOFET 会在100ns 内导通。

以下是驱动(橙色/紫色)与 FET 开/关(绿色/蓝色)的图像

[/报价]

谢谢、请查看红色的评论。

a.禁用 IFAULT_HI 并将 IFAULT_LOW 设置为"1"：哪一个有效？   IFAULT_HI 似乎是问题的原因

b.检查 HIFET；LOFET 栅极驱动波形和开关节点波形、以确保：   

以下是与 BQ Bench 测试软件配合使用的设置：

-选项寄存器设置为0x9832 (禁用 IFAULT_HI、LO 为135mV

-充电电流= 4096mA

-输入电流= 8064mA

-充电电压= 16800mV

**实际上没有安装电池，因此没有充电电流流动。

所有范围照片上的颜色：

－黄色是 TOPFET，Vgs

蓝色表示 TOPFET、VDS

紫色是 BOTFET、Vgs

绿色是 BOTFET、VDS

在 HIFET 和 LOFET 之间无击穿

未充电时拍摄-顶部 Vgs 与 BOT Vgs 的时序

 

在无充电时拍摄-顶部 VDS 与 BOT VDS 的时序(这应显示任何击穿)

 

当  HIDRV 或 LODRV 信号开始导通时、HIFET 或 LOFET 会在100ns 内导通。

以下是驱动(橙色/紫色)与 FET 开/关(绿色/蓝色)的图像

1.禁用 IFAULT_HI 并将 IFAULT_LOW 设置为"1"：哪一个工作？ IFAULT_HI 似乎是问题的原因
2.从测试波形看、HIDRV 导通所需的时间约为几百 ns。 可能太长。 因此、由于导通速度较慢、保护电路会测量整个 HIFET 上的高电压。
因此、减小 BTST 和 HIDRV 串联电阻值或选择低 Qg FET 可以解决该问题。

谢谢你。 我的 BTST 和 HIDRV 串联电阻器当前为0欧姆、因此不能进行太多的降低。 是否有任何建议的 Qg 值？ 我目前正在使用 Infineon BSC0901NSI、Qg 目前为4.1nC、看起来非常低。 该 FET 的导通时间应为5nS。

如果是这种情况、问题可能来自布局。 数据表第34页、图21和22介绍了这一点。
如果无法更改布局、则必须禁用 IFAULT_HI 保护。

你好

我对前面提到的几个数字讲错了。  我说过 Qg 为4.1nC、这是针对 QG (th)。  对于4V 的 Vgs、此组件的总 Qg 约为20nC (在之前的示波器快照中测量)。  从前面发送的原理图中可以看到、顶部并联了两个 FET、有助于将功率损耗拆分为两个部分、而不是一个部分。  我的假设是、这会使栅极上的电容和电荷加倍、因此我移除了其中一个 FET 进行测试。  我不再跳过 IFAULT_HI、看起来我的上升时间大约为100ns。  请参见下面的示波器截图(黄色表示1个 FET、灰色表示2个 FET)。

[引用 user="Wang5577">如果是这种情况，则问题可能来自布局。 数据表第34页、图21和22介绍了这一点。
如果无法更改布局、则必须禁用 IFAULT_HI 保护。

[/报价]