[参考译文] LM5060：大型 MOSFET 电阻负载冲击 MOSFET

Aurimas

使用设计计算器工具帮助进行设计。 可从 LM5060产品页面下载该软件。 此外、还可访问 www.ti.com/hotswap 以及更多应用手册和视频教程。 如果通过气流连接 stout FET、Ixys FET 具有良好的 SOA 和巨大的散热器能力。 是加热后还是加电期间出现故障？ 您需要在上电时考虑几个因素。 Cout 以及您有一个电阻负载、该负载将电流从0v 应用到完整 Vout。 FET 中耗散的能量与 Cout (1/2 CV^2)+ Vout 斜坡时施加的附加负载的电荷相同。 强烈建议不要使用直阻性负载并使用 LM5060 PG 输出来启用下游负载。 这会在加电时占用 FET 很大的空间。

在直流50A 条件下、FET 将耗散~ 9W。 因此、我假设具有气流的散热器 θ 需要在3-5 C/W 范围内、具体取决于您的环境。

建议您查看 Vin、Vout、Vgate、I-in (而不是 I-out、因为您需要确保查看 FET 电流)、Vtimer at power up。 然后、您可以确定 FET 看到的总功率与时间间的关系、并对照 SOA 图进行检查。

Brian

正如我在另一个主题中问的问题、我想问题是 LM5060产生的 Vgate 过高、因为 MOSFET Vgs 最大值为+/- 20V

Aurimas、

LM5060 GS 电压通常为12v。 您可以在方框图中看到内部有一个16.8V 钳位。 +/-20V 额定值不是问题。

Brian

也许您可以直接访问我在产品页面上找不到的设计计算器。