[参考译文] UCC25630-1EVM-291：如何内置 LMG3410-HB-EVM

Doi-San、您好！
让我尝试帮助解决与 GaN 相关的问题。 首先、由于启动电流较大、我们不建议在较高的谐振频率(>300kHz)下使用 LMG3410运行 UCC25630x。 UCC25630x 的最大开关频率在数据表中定义为1MHz。 如果电路设计为在300kHz 的谐振频率下运行、则启动频率将受到限制、并且、 由于启动电流过大会导致变压器饱和、因此启动过程仍会很困难。较大的谐振频率设计不仅可能使变压器饱和、还可能触发 LMG3410的集成过流保护。 我们很快将推出一个参考设计。 请稍后再查看此设计。

UCC25630x 的最大电流定义为100mA、而300kHz 的 LMG3410电源电流约为15mA、因此2个 FET 的总电流为30mA。 但是、在启动期间、开关频率将达到1MHz、两个 LMG3410将消耗80mA 电流。 我将就此向您回复。

我将首先移除 digi ISO、短接 IN 和 OUT 引脚以绕过 digi ISO、然后将 R3和 R11从49.9更改为670ohm、并将 C2和 C17替换为330ohm (1/3比率)、绕过 R4和 R12、将 C4和 C19替换为10pF。

是的、UCC25630x 的 HS 可以连接到 LMG3410 HB EVM 的 ISO_RET_H 网络、因为 UCC25630x 具有用于栅极驱动器的内部电平转换器。

我还必须提到的一点是 LMG3410在死区时间期间的第三象限操作。 GaN FET 具有较大的第三象限(反向导通)压降、为了获得更高的效率、需要尽可能减小压降。 但是、UCC25630x 的最小死区时间为100ns。 这会在高开关频率下导致额外损耗。

希望这能解答您的问题。
最棒的
Serkan