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[参考译文] LMG5200：GaN 半桥功率级路线图/产品系列

admin
Guru**** 2451970 points
Other Parts Discussed in Thread: LMG5200, LMG1210

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/671766/lmg5200-gan-half-bridge-power-stage-roadmap-portfolio

器件型号：LMG5200
主题中讨论的其他器件： LMG1210

您好！

我正在研究一种可能的新设计、其中采用 GaN 降压级、这样的器件非常有趣。 但是、我不需要超过大约5A 的峰值输出电流、因此该器件比所需器件的功率要大得多(而且价格昂贵)。 是否计划使用此器件的变体/缩小版？

BR

拉斯  

  • 0
    TI__Guru**** 2451970 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    你好、Lasse、

    我们不会对公开发布的产品或路线图发表评论、但让我尝试帮助您使用 LMG5200。

    尽管 LMG5200的额定电流为10A、但应用中的电流能力取决于系统的热冷却和损耗。 您的应用、FET 电流、开关频率、硬开关/低开关和总线电压是多少？

    根据您的输入、我们可以确定 LMG5200是否适合您的应用或超性能。 当然、由于集成的优势、我建议您尽可能使用 LMG5200。 但是、如果需要高得多或低得多的 RDSon FET、我们确实有一个200V HB 驱动器- LMG1210 -其 CMTI > 300V/ns、以及1.5ns 的延迟匹配、可用于驱动分立式 FET。

    此致、
    Serkan