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[参考译文] BQ24190:输入振荡。

Guru**** 2451970 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ24190

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/669064/bq24190-input-oscillation

器件型号:BQ24190

您好!

根据负载和电源的不同、我的输入(VBUS)似乎在~200 - 300MHz 之间振荡。  

我尝试在输入端添加铁氧体磁珠、更改和添加输入电容。

所有这些似乎只是将频率移动一位、没有任何东西会降低频率。

此致、

Mark Burton

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    Mark、您好!

    当您看到此振荡时、您的负载和电源条件是什么? 如果您采用了任何示波器图、您能否包含任何示波器图?

    您可能位于 INDPM 或 VINDPM 中。 您为这些设置了哪些级别?

    谢谢、
    John
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    尊敬的 John:

    所有寄存器均为默认值。

    我最坏的情况是连接到笔记本电脑上的 USB 时。 我认为 IINDPM 可能是问题...

    您能否确认我在以下两项陈述中的想法是正确的:

    1) 1)当我插入 USB2.0端口时、输入电流限制将下降至900mA。 但是、充电电流将保持在2048mA。 因此、器件将进入 IINDPM。

    2) 2)当我插入充电端口(5V 2.2A USB 插头)时、输入电流限制将设置为1500mA。 充电电流将保持在2048mA。 再次输入 IINDPM。

    如果上述条件为真、这会导致我看到的杂散、那么我想我应该检查在插入 IILIM 寄存器时将其设置为什么、并调整充电电流 ICHG 寄存器以将其保持在 IILIM 以下?

    感谢你的帮助。

    此致、
    标记。

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    Mark、您好!

    充电电流设置是在未达到其他限制时发送到电池的最大电流。 在这两种情况下、由于 ILIM、实际充电电流将不会达到此电平。

    我重新创建了您使用 BQ24190 EVM 描述的测试条件、但无法看到输入振荡。 您能给我更多关于您系统中 VBUS 如何传输到的信息吗? 此外、如何测量各种电压和电流?

    谢谢、
    John
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    尊敬的 John:

    VBUS 可以来自任何 USB 端口。 并通过1uF 电容器直接连接。 我还尝试将铁氧体磁珠与低值和高值电容器一起放在这条线路中。

    SYS 输出通过一个控制 MOSFET 的开/关按钮控制器(LTC2950-2)进行。 SYS 输出可为主产品供电(如果打开)、并且在加电时消耗的最大电流为700mA。 注意:我目前必须在器件断电时进行测试、以便仅消耗电流为电池充电。

    这 是器件断电而未充电时的参考扫描。

    这是通过笔记本电脑 USB 端口充电并关闭设备电源时的情况。

    BAT 被连接至一个6.8Ah 锂离子电池组。

    我直接在 PCB 上 VBUS 引脚上的去耦1uF 电容器处测量 VBUS。

    我通过测量 VILIM 并使用公式(Vilim/Rilim)*530来计算输入电流

    更多测试信息:

    昨天晚上、我为设备充满电、今天早上、当我将设备插入主电源(5V、2.2A USB 电源适配器)时、我在频谱分析仪上看不到杂散。 当我将其插入 PC USB 端口时、我可以看到它们、但它们非常小。 在前端严重限制电流时、这种情况更糟

    此致、

    标记。

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    Mark、您好!

    VBUS 上的1uF 电容就足够了。 PMID 引脚上有多大的电容? 该引脚上的高频噪声也会被滤除。 我们的 EVM 在 PMID 上使用6.8uF。

    您能否向我发送 VBUS 随时间变化的示波器波形? 我希望更好地了解该振荡的幅度。

    谢谢、
    John
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    尊敬的 John:

    是的、我只有 PMID 上的电流为6.8 μ F

    下面是带示波器的 VBUS。 显示1.5MHz 开关时、我已经调整了时基来显示振铃。 我的示波器仅为60MHz、因此未显示较高阶频率。

    此致、

    标记。

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    Mark、您好!

    下面是 BQ24190EVM 上的 VBUS。 这是 VBUS = 5V、VBAT = 3.9V、ICHG = 0.5A、无系统负载的情况

    此噪声的频率是预期的、但显然对于您的设计而言、它要大得多。 您是否有可以提供的原理图?

    谢谢、

    John

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    尊敬的 John:

    充电控制器原理图如下:

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    Mark、您好!

    您的原理图中似乎没有任何会导致这种情况的东西。 但是、我注意到您的原理图块没有用于散热焊盘的引脚25。 为了获得良好的性能、散热焊盘需要接地。 下面是 BQ24190的推荐布局。  

    在布局中将 PMID 电容器靠近 IC 非常重要。 此外、请注意连接到接地层的散热焊盘和过孔的使用。 这与您的设计有何区别?

    谢谢、

    John

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    尊敬的 John:

    您是否可以使用频谱分析仪来检查较高的频率? 我不相信我们在示波器上看到的差异就是原因。

    是的、我遵循建议的布局作为布局指南。 请参阅以下内容:

    我在建议的布局和评估板数据表中注意到的一点是、升压自举线路中提供了一个电阻器。 我想知道添加一些电阻是否会使它稍微受抑制? 你有什么想法?

    当我探测升压带电容器时、我在频谱分析仪上看到的情况会恶化几倍。 现在、这可能只是因为探针充当天线。

    是否可以向我发送评估板?

    此致、

    标记。

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    Mark、您好!

    您可以从 www.ti.com/.../BQ2419XEVM 订购 BQ24190评估模块

    我有两个建议、用于降低您看到的高频噪声:

    在 PMID 与 GND 之间添加一个1nF 电容。 使用 X7R、0402并将其尽可能靠近 PMID 引脚放置。

    2.添加一个与自举电容器串联的电阻器。 添加此电阻器将降低高侧 FET 的压摆率、从而降低可能反射回 VBUS 的较高频率。 该电阻器的范围可以是0欧姆至10欧姆、但具体性能需要进行测试。

    谢谢、
    John