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器件型号:CSD25485F5 主题中讨论的其他器件: CSD25310Q2
您好!
关于 CSD25485F5:
我注意到、当 MOSFET 的栅极高于其源极时、似乎有一些不良的导通。 在"顶视图"图内的 MOSFET 数据表中描述了单向 ESD 保护二极管的外观。
1) 我是否正确地说、这确实是为了表示单向 ESD 二极管而不是双向 ESD 二极管、并且这可能是导通的源?
2) 为了消除这种栅源极传导、您能否建议替换以下器件:具有双向 ESD 二极管或根本没有二极管。 封装尺寸的增加是可以接受的、但低 Vgs (th)和 Ciss 很重要。
谢谢、
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