[参考译文] UCC27211：IC 温度极高、可吸烟

尊敬的 Jeff：

感谢您的回复。

我们使用以下 FET (IRF1018E)： www.infineon.com/.../irf1018epbf.pdf

它在 Vgs = 10V 时具有8m Ω(RDS)、Qg 各约为70nC；我们并联了两个 MOSFET、使 Qgs 总计为140nC。 请告诉我们、您通过 Cgate 推测什么。

此外、我们还使用具有相同 CVDD 值的100nF Cboot (16V 额定值)。  我们对 Cboot 上的波形感到困惑、电压降至大约5V、但我们仍然可以在上一个示波器快照中看到 HO 处的电压大约为8V 至9V。 我们无法看到 Cboot 和 HO-HS 两端的电压之间存在任何关系。 但是、我们还发现了 MOSFET Vgs 的以下波形：

我们不确定它捕获的确切时刻、我们在测试过程中随机发现了它。 在进行任何彻底的测试之前、我们实际上正在通过 IC 进行燃烧。 但是、如果您注意到、此处的通道1的 Vgs 大约为5V、这与问题中发布的图像中其周期的相应部分中的 Cboot 电压相同。 现在、如果我们看一下这个捕获的波形、我们将剩下两个问题：IC 中的高电流消耗及其燃烧和 Vgs 通常不会达到12伏。

请向我们建议调试该问题的后续步骤。

谢谢、此致

Manuj Agrawal

您好 Manuj、

感谢您的更新。 由于 Cboot 和 CVDD 的值相同、因此当 Cboot 需要补充(CVDD 被充电至 VDD)的时间时、Cboot 可能补充到等于 VDD 一半的最大最终设置电压。 ic*dt/(Cboot+CVDD)=dV。

如果我们将 CVDD 设置为10*Cboot 或至少1uF，则 Cboot 上的纹波也应减少10倍。

您能否为 CVDD 测试此值并使用结果更新我？

谢谢、  

尊敬的 Jeff：

感谢您的回答。 一旦我们向我们提供更多 IC、我将立即为您提供最新信息。 在平均时间内、请告诉我们 Cboot 上的纹波如何导致大电流消耗和高温。 这是否可能是由其上的 dv/dt 值较高所致？ 我们一直使用非常低的直流链路电压值进行测试、= 6伏、并且任何相位上都没有负载。

谢谢、此致
制造

尊敬的 Jeff：

我们非常享受与您的这次富有洞察力的对话、感谢您的帮助。 )

从您上次的回复中、我们可以清楚地了解器件升温的原因。 我们现在将 Cboot 更改为1uF、将 CVDD 更改为10uF。 但从您上次到上次的答复，我们仍然不清楚 CVDD 为什么应该是10*Cboot。 您能更详细地解释一下吗？ 如果您可以将其与我们得到的波形相关联、那将非常有用。

谢谢、

制造

您好 Manuj、

感谢后续行动、很高兴能进行一些对话。 我认为纠正该电容值是找到解决方案的第一步。

Cboot 应为22nF-100nF。 VDD 电容应为220nF-4700nF。 这可以从下面的 UCC27211数据表引脚功能中找到。

我们通常建议 VDD 使用大电容、通常使用10x 作为指导原则、因此从 VDD 为自举电容器充电的电流不会导致较大的 VDD 纹波。 对于 VDD 电容、使用10x 的准则会导致 VDD 电容为1uF。 最好使用一个具有较低阻抗的低阻值陶瓷并联、因此建议使用具有较大 VDD 电容值的并联100nF 电容。

从系统角度来看、HB 上的纹波意味着由于该二极管上的电势差较大、因此需要大的自举二极管电流对其进行正向和反向偏置。 例如、如果 HS 导通且仍有电流从 LS 导通为 BS 充电、则 BS 将因反向恢复而遭受更大的损耗、从而可能发生永久性损坏。 另一个示例是、如果 Ls 导通时间非常短且/或引导电容器比要求的大得多、这也会导致此问题。

这有道理吗？

谢谢、