[参考译文] BQ24618：VCC 低于5V 时无充电

Matteo、您好！

您能否展示您的原理图？ 和您的测量？  

您是否尝试过使用 EVM 上使用的同一 FET？

您好 Jing、

原理图如下：

当 Vin=5V 时、Vcc 略低于4.7V (Vcc=4.6V)。 当 Vin=5.1V 时、Vcc=4.7V 且充电器开始为电池充电。

问题是、根据 USB 规范、输入电压也可以低至4.75V。 在我的设计中、我选择了 BQ24618、因为它被声明在4.7V 的最小输入电压下工作、并且是"USB 友好型"。

BQ24618没有 EVB。 如果您询问的是 BQ24617 EVB (但 BQ24617的最小 Vcc 为5V、因此它与我们讨论的参数有具体差异)、不、我不使用 SI4401DY PMOS、而是使用 BSL303SPE。

谢谢大家、此致

Matteo

抱歉、我之前的帖子中可能缺少原理图图片：

Matteo

我选择了 PMOS BSL303SPE、而不是 SI4401DY、因为它具有 ID 与 VGS 特性。
BSL303适用于单节电池、因为它可确保在 VGS 低于3V 的情况下实现良好导通状态。 此类特性对于 M103 PMOS 是必需的(请参阅我的原理图)、但我决定在我的设计中仅使用一个 PMOS 模型(因为 BQ24618数据表中未指定对 M101和 M102 pMOSes 的特殊要求)。

Matteo

您要使用什么电池电压进行测试？ 您还如何连接电池？

要开始充电、VCC 必须比 SRN 高至少500mV (否则、器件将处于睡眠模式)。 考虑到高侧 FET (RDSon)、电感器(DCR)中的直流损耗、TI 建议输入电压至少比电池电压高1.5V 至2V、 和输入感应电阻器(ACP 和 ACN 之间)、VCC 和输入电源之间 RBFET 的体二极管压降以及电池感应电阻器(SRP 和 SRN 之间)。

因此、我们的充电器无法控制很多附加电阻。 选择具有较低 Rdson 的 FET、较低 DCR 电感器、并缩短 IC 输入和 IC 至输出之间的走线、将有助于减小高电流路径上的电阻。

对不起、Jing、

在上一篇文章中、我犯了一个错误：VIN 比 SRN 高600mV 以上、但 Vcc 不是(由于 M101的体二极管)。

因此、您可能是对的：当电池处于高电平时、BQ24618不会退出睡眠模式：

• 电池完全充电电压(即 SRN 电压)：大约4.2V
• 最小输入电压：4.75V (USB)
• VCC 最小电压：4.3V (取决于 MOS 体二极管)
• 睡眠上升电压(Vcc-SRN)：0.1V、远低于600mV (即睡眠上升阈值)

BQ24618如何能够成为"USB 友好型"？

我已经检查了我建议的与 M101体二极管并联的肖特基二极管解决方案、情况更好。 问题没有完全解决，但仅限于最坏的情况。

您对这种变通办法有何看法？

是否有解决方案？ 是否可以禁用睡眠模式？

非常感谢

此致

Matteo