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器件型号：TPS92515HV 如果是有源启动 UVLO、则将内部灌电流5mA 连接到放电输出电容器。 然后、C_boot 从 VCC 充电、IC 启动。 但是、如果 是高容量 C_OUT (数百 uF) 、则放电时间非常长。
是否可以在很短的时间(大约1us；当 IC 被 PWM 低电平禁用时)内将 SW 节点短接至 GND 以对 C_boot 充电、然后释放 PWM 以启动 IC 运行？ 在这种情况下、电感器电流增大、断开 SW 后、电感器电流将通过内部 MOSFET 流向输入电容器。
我的问题是：
内部 MOSFET 是否能够传导反向电流？ 它是一个在 C_OUT 充电后打开的单脉冲、IL、峰值<100mA (Vout=40V、L=470uH)。 根据我的意见、这不应是 MOSFET 的体二极管造成的问题。
谢谢你
Karel
