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[参考译文] LM5050-1:LM5050-1 EVM 上的 VGS (Vgate-Vin)电压问题

Guru**** 2494635 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5050-1

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/715415/lm5050-1-vgs-vgate-vin-voltage-issue-on-lm5050-1-evm

器件型号:LM5050-1

您好~

根据数据表、当 VIN=5V 时、VGate-Vin 的最小电压为4V、当 VIN=12V 至75V 时、VGate-Vin 的最小电压为12V、但是、我们看到 在 EVM 上 VIN=19V 时、它低于4V。 我知道原因吗? 以及如何解决?

否则、我在 E2E 中看到另一个讨论、不建议将 LM5050-1用于背靠背控制、您的命令是什么?

C1:输出

C2:栅极

C3:输入

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Tiger、

    总而言之、数据表规格实际上是最大电荷泵电压(Vgs 电压可以达到电荷泵电压的最大值)。
    在5V 输入电压下、电荷泵电压最小为4V、典型值为7V、最大值为9V。 在12V 输入电压下、电荷泵电压最小为9V、典型值为12V、最大值为14V。

    为了进一步说明、LM5050-1通过控制栅极电压将 MOSFET 的 VDS 调节为22mV。 这是线性调节 ORing 控制。
    数据表第5页中给出的 VGS 规格适用于 Vout = Vin - 175mV 的条件、并且特意选择了175mV、以便其超出22mV 的调节范围。 这意味着正向调节环路无法工作。 因此、Vgs 将达到可能的最大值、而该最大值等于电荷泵电压。

    输入电压为5V 时、电荷泵比输入电压为12V 时的电荷泵略弱、因此在输入电压为5V 时、电荷泵的最大值较低。
    现在、在输入电压为5V 时、室温下的最大电荷泵电压为7V。 因此、在更高的负载电流下、Vgs 在室温下不能超过7V。

    例如、假设10A 标称电流应用的最大电流为20A。 对于10A 应用、建议使用22mV/10A = 2.2m Ω Rdson 的 MOSFET。 假设我们选择了一个 MOSFET、在4V Vgs 时具有2.2m Ω、在7V Vgs 时具有1.5m Ω。 在10A 时、Vgs 将为4V (因为2.2m Ω* 10A = 22mV)、在14.66A 时、Vgs 将为7V (因为1.5m Ω* 14.66A = 22mV)。 对于低于10V 的电流、Vgs 将低于4V。

    此外、对于50A 下的极高电流、22mV 调节可能无法工作、因为22mV/50A 为0.44m Ω、FET 可能无法承受如此低的 Rdson、或者需要控制器无法提供的极高 Vgs、因为在5V 输入电压下、 室温下最高可达到7V。 或12V 输入电压时、可在室温下变为12V。

    LM5050-1无法支持背靠背 MOSFET 运行、因为它无法关闭第二个 FET (热插拔 FET)。
    这是因为 LM5050-1通过将 MOSFET 的源极连接到其栅极来关闭 ORing 控制 MOSFET。 为了关闭第二个 FET、即热插拔 FET、栅极需要拉至其源极。 第二个 MOSFET 的源极是电路的实际输出、LM5050-1不能将其短接至栅极。

    此致、
    Kari。
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Tiger、

    如果您能够查看此请求、请告诉我。

    此致、
    Kari。