您好!
数据表存在一些问题。
1。ACN 至 SRN 比较器(ACN_SRN):在 V (ACN-SRN_RISE)的说明中、我们可以看到、当 ACN 上升到 SRN 以上时、BATFET 将会打开、为什么会这样。?
2. HSFET VDS 阈值(IFAULT_HI):MOSFET/电感器具有短路保护。 当我们触发短路保护时、会发生什么情况?
3.轻负载比较器(轻负载): IC 在确定其轻负载时会执行什么操作?
4. VBAT (Depl_RDEG):如何理解电池电量耗尽上升/下降抗尖峰脉冲。
5. BAT_DEPL 和 BAT_LOWV:在 BAT_DEPL 中,我们有过放电阈值。 在 BAT_LOWV 中、我们有一个电池 LOWV 下降阈值。 它们之间的区别是什么
6. R (ACDRV_LOAD):该电阻有什么作用,为什么它这么大?
7. V (BTST_REFRESH):如何理解描述中的"刷新"?
8. INOM:在某些说明中、INOM 与输入电流限制的超大关系。 在另 一个描述中、INOM 是 IDPM 的&符号。 输入电流限制、IDPM 也是如此。
9. VO (LO):饱和电压是多少?