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[参考译文] BQ24780S:数据表存在一些问题

Guru**** 2604225 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ24780S

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/749833/bq24780s-there-are-some-problems-about-datasheet

器件型号:BQ24780S

您好!  

数据表存在一些问题。

1。ACN 至 SRN 比较器(ACN_SRN):在 V (ACN-SRN_RISE)的说明中、我们可以看到、当 ACN 上升到 SRN 以上时、BATFET 将会打开、为什么会这样。?

2. HSFET VDS 阈值(IFAULT_HI):MOSFET/电感器具有短路保护。 当我们触发短路保护时、会发生什么情况?  

3.轻负载比较器(轻负载): IC 在确定其轻负载时会执行什么操作?

4. VBAT (Depl_RDEG):如何理解电池电量耗尽上升/下降抗尖峰脉冲。  

5. BAT_DEPL 和 BAT_LOWV:在 BAT_DEPL 中,我们有过放电阈值。 在 BAT_LOWV 中、我们有一个电池 LOWV 下降阈值。  它们之间的区别是什么

6. R (ACDRV_LOAD):该电阻有什么作用,为什么它这么大?

7. V (BTST_REFRESH):如何理解描述中的"刷新"?

8. INOM:在某些说明中、INOM 与输入电流限制的超大关系。 在另 一个描述中、INOM 是 IDPM 的&符号。 输入电流限制、IDPM 也是如此。

9. VO (LO):饱和电压是多少?

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    1。ACN 至 SRN 比较器(ACN_SRN):在 V (ACN-SRN_RISE)的说明中、我们可以看到、当 ACN 上升到 SRN 以上时、BATFET 将会打开、为什么会这样。?
    VSYS (系统电压/电源)由电源适配器或电池提供。 当不存在适配器时、BATFET 闭合、以便为电池提供为系统供电的最低电阻路径。 连接适配器后、它将提供 VSYS 而不是电池。 如果 BATFET 保持关闭状态、则高电流、非稳压电源将从适配器流入电池。 相反、BQ25780S 将打开 BATFET 以阻止适配器到电池的直接功率流、而是通过开关稳压器向电池提供稳定的充电电流/电压、该稳压器的电感器与 SRN/SRP 处的感应电阻器串联
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    2. HSFET VDS 阈值(IFAULT_HI):MOSFET/电感器具有短路保护。 当我们触发短路保护时、会发生什么情况?

    构成开关稳压器的 MOSFET 将停止开关、稳压器将进入高阻抗模式(高侧 MOSFET 断开)、以保护系统。
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    3.轻负载比较器(轻负载):IC 在确定其轻负载时会执行什么操作?

    稳压器将进入非连续导通模式、在该模式下、它会阻止电感器电流过零(即从电池流向适配器)。 这是假设器件未处于 Turbo 升压模式、在该模式下、电流将沿此方向流动、因为电池将为适配器提供电源、从而为系统供电。

    有关更多详细信息、请参阅数据表第7.3.6.3节"非同步模式和轻负载比较器"
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    4. VBAT (Depl_RDEG):如何理解电池电量耗尽上升/下降抗尖峰脉冲。

    在正常运行期间、如果适配器和电池都存在、则适配器将为系统供电。

    当器件处于"学习"模式时、BQ24780S 将阻止适配器为系统供电、而是将电池放电。 这主要用于电池电量监测计学习周期。

    在学习周期的某个点、电池将完全耗尽、无法为系统供电。 此时、BQ24780S 将切换回由适配器提供系统电源。 该抗尖峰脉冲是该开关的抗尖峰脉冲时间。 电池电压必须保持在耗尽电压以下600毫秒、以触发器件切换至适配器电源。
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    5. BAT_DEPL 和 BAT_LOWV:在 BAT_DEPL 中,我们有过放电阈值。 在 BAT_LOWV 中、我们有一个电池 LOWV 下降阈值。 它们之间的区别是什么

    BAT_LOWV 用于电池短路检测。 请参阅数据表第7.3.9.4节"电池短路"。 当 BQ24780S 尝试为电池充电、但电压上升到2.5V 以上时、会被视为短路、器件会进入电池短路模式以防止高电流。 此2.5V 不可编程。

    BAT_DEPL 用于检测电池何时放电至低于其有效范围。 它可以在寄存器0x3B 中设置。
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    6. R (ACDRV_LOAD):该电阻有什么作用,为什么它这么大?

    这基本上是 ACFET 驱动器最大驱动能力的规格。 在同一数据表部分、您可以看到栅极驱动电压比 FET 源极电压高~6V、最大电流最小为40uA。 这是一个大约150千欧的驱动器输出阻抗。 为了保证 ACFET 电荷泵能够以该驱动强度为 ACFET 的栅极正常充电、ACFET 引脚上的总栅源极电阻需要不小于500k Ω。
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    7. V (BTST_REFRESH):如何理解描述中的"刷新"?

    为了在开关稳压器的高侧 NFET 上提供足够的电压、该 FET 的栅极电压必须泵入高于相位节点(引脚27)的电荷、这是 FET 的源极电压。 当低侧 FET 关闭且相位节点接地时、自举电容器会充电。 但在 VIN ~ VBATT 的极高占空比中、低侧 FET 不会长时间闭合、自举电容器电压可能会降至4.3V 以下、这可能不足以开启高侧 FET。 在这种情况下、BQ24780S 将强制低侧 FET 产生脉冲、以便为该自举电容器充电、从而驱动高侧 FET。
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    INOM:在某些说明中、INOM 与输入电流限制的超大关系。 在另一个描述中、INOM 是 IDPM 的&符号。 输入电流限制、IDPM 也是如此。

    是的。 DPM 是动态电源管理器。 动态电源管理器是一项功能、它实际上管理输入电流、以便将输入电流限制为寄存器0x3F 中设置的值、因此 IDPM 和输入电流限制是同义词。
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    VO (LO):什么是饱和电压?

    这是用于驱动输出逻辑的 FET 达到饱和(达到速度饱和)且无法再提供任何电流的电压。 由于数据表显示该饱和电压下为5mA、因此最大驱动电流为5mA。 输出将以100欧姆的 RDSON 运行、直至灌电流为5mA、此时灌电流将变饱和且不会升高。 发生这种情况时、引脚上的电压将为500mV 或更高。
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    当 LO 侧 MOSFET 触发短路保护时、IC 将停止开关并使高侧 MOSFET 打开。

    但是、当高侧 MOSFET 触发短路保护时、IC 如何保护电路、 IC 将采取什么措施。

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    HI 或 LO 侧 FET 都可以触发过流/短路保护。  高侧 FET 电流由 ACP/ACN 感应电阻器测量。  低侧电流通过 FET R_DSON 两端的压降进行测量。  (这不是很精确、但该电流仅用于 OCP/短路保护、而更精确的 ACP/ACN 感应电阻 器也用于 IDPM。)  无论在何处检测到过流、反应都是相同 的、即禁用高侧 FET (使其保持断开状态)并启用 LO 侧 FET (使其保持闭合状态)。  这将降低电感器电流、直到达到安全电流电平、此时 将恢复常规开关。

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    但是、当高侧 MOS 短路时、IC 无法打开高侧 MOS。

    同时、IC 闭合了 LO 侧 MOS。 然后、LO 侧 MOS 将因过流而损坏。

    您是否认为保护反应有一些奇怪之处?

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    我想我们需要做一点备份。  短路不在高侧 FET 或 LO 侧 FET 上、它是 SYS 接地短路或 BAT 接地短路。  哪个 FET 首先检测到此短路(即过流情况)只是稳压 器占空比中的位置、对情况的正确响应没有影响。

    无论在哪个开关中检测到过流、保护响应始终相同--打开高侧开关和关闭低侧开关。  

    这将导致(临时)流经 LO 侧开关的高电流。  这是不可避免的。  您有存储在电感器中的能量、它必须移动到某个位置。  对于降压稳压器的架构、这种情况通过 高侧开关或低侧开关实现。  如果您要通过高侧开关对其进行布线、则只会增加电感器电流。  如果您尝试关闭两个开关、LO 侧开关上的反向栅极二极管 无论如何都会导通、并且您 将获得相同的最终结果、只有在 LO 侧开关上具有更大的电阻压降、这 会增加损坏的可能性。

    我不认为这种反应有任何奇怪之处。   

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    关闭此 TT、因为问题在同一名称的主题中得到了解决(BQ24780S:有关数据表存在一些问题):
    e2e.ti.com/.../2791457