[参考译文] BQ25703A：根本原因不存在 VSYS 和 Vbat

您好、Philip、

您能解释一下" Hi-Z"是什么意思吗？  您是说 ILIM_HIZ < 0.4V 吗？  因为这会使器件处于高阻态、并会解释为什么 VSYS/VBATT 上没有电压。  

您能否使用 BQStudio 的"保存寄存器"按钮捕获器件上的寄存器并将其连接到此线程？  此外、请尽可能多地提供定制电路板的原理图。  我需要更好地了解系统的状态、以确定为什么您看不到 VSYS/Vbat 上的电压。

此致、

Steve

是的、Steve。

抱歉、应该说 VILIM_HIZ = 2.2V 输入电流调节设置为3000mA

VSYS 和 Vbat 是否存在而不进行主机 I2C 通信，对吧？

 CELL_BATPRES R27/R36比率固定为0.4 -> 2节。

您是否尽可能分享25703A 步行流程图？  谢谢

感谢你的帮助  

e2e.ti.com/.../bq25703a-schematics.pdf

嗨、Philip、

PMOS 器件朝向错误的方向(Q5)。 相反、FET 体二极管的正向方向应从电池侧指向系统侧。 我不确定、但这可能会影响 VSYS 的调节。 您可以通过读取充电器寄存器并将其发布到此处进行检查。

我想查看充电状态寄存器正在读取什么内容。


此致、
Joel H

是 Joel、。

读取 ICO 和 VINDPM 位为0、充电正常在 100~300mSec 内重复切换到高/低/高/低、谢谢  

嗨、Philip、

翻转电感器是否允许系统正确调节？ 您还可以尝试简单地删除它、并查看 VSYS 是否活跃。

有位可禁用 BATFET、但逻辑会关闭、因为它尝试将 FET 的栅极拉至 VSYS、而是拉取漏极。 除此之外、当转换器运行时、VSYS 调节环路依赖于将电压调节到高于电池电压的水平。

您还提到了 VINDPM。 检查您是否可以将寄存器设置中的 VINDPM 阈值更改为较低的值。 如果输入电压足够接近或低于该阈值、这可能会导致 VSYS 无法调节。

我还会要求您检查该状态寄存器的其他8个位。 它们应具有各种故障(请参阅 I2C 地址= 20h)。



此致、
Joel H