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[参考译文] BQ27542-G1:有关 FullChargeCapacity 寄存器和终身寄存器的问题

Guru**** 2585285 points
Other Parts Discussed in Thread: BQSTUDIO

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/751185/bq27542-g1-questions-about-fullchargecapacity-register-and-lifetime-registers

器件型号:BQ27542-G1
主题中讨论的其他器件: BQSTUDIO

各位专家、您好!

我的客户正在其设计中使用 bq27542-G1。 他们有如下问题。 请帮助您查看并提供建议。 非常感谢

1. FullChargeCapacity 寄存器
 FullChargeCapacity()(寄存器0x12和0x13)的值偶尔会变得很低,这将导致 RemainingCapacity()(寄存器0x10和0x11)
 和 StateOfCharge ()(0x2C 和0x2D)非常低。 FullChargeCapacity()的电池值放电后将恢复。 的值       FullChargeCapacity 不稳定,当 StateOfCharge 的值为0时,将导致 Android 意外关闭。 我们想知道这种行为是否正常, 以及 FullChargeCapacity()的通用算法是什么。 BQ27542-G1是否有办法在发生此类问题时自动恢复寄存器值?

2.寿命寄存器
 使用 IIC 读取的寿命寄存器的值(最大/最小温度、最大/最小电压、最大充电/放电电流)不稳定。 通常、我们必须移位一些  字节 才能读取实际值、而不是直接读取它们。 大端字节序和小端字节序在每次使用寿命寄存器时都是随机的。 最坏的情况是、使用 IIC 值时、我们根本无法确定规则。 解决方案是什么?

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    1.您是否确定了您的化学 ID 在本单元上正确执行了学习。 在这些测试期间、您的设备是否暴露在低温下?
    2、寿命寄存器不会随机变化、除非满足条件、否则寿命会更新。 您需要验证是否正确读取参数。 HV u 是否已在电量监测计通信中看到下面的应用手册?
    www.ti.com/.../getliterature.tsp
    谢谢
    Onyx
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    您好、Onyx、

    感谢你的答复。

    • 请详细说明"正确学习"吗?
    • 在这些测试期间、这些装置暴露在低温下。  如果低温影响寄存器值、有何策略? ‘s 温度和 FullChargeCapacity 值的粗略算法是什么?
    • 我的客户认为读数作为数据表的参考是正确的。   读数简单如下:

                                   FG_27542_WRITE_BYTE (0x3F、4);

                                   FG_27542_READ (0x40、12);   //读取0x40的值

    器 件数据表指出:"可在密封和非密封模式下读取和写入寿命数据子类(子类 ID = 59)中记录的数据。 但是,在密封模式下,对该子类的访问使用与访问制造商信息块 B 相同的过程。DataFlashBlock()命令代码为4"。

    第11.1节:"使用 DataFlashBlock()命令选择指定的制造商信息块,而不是发布子类信息"。 基于此信息、客户认为他们不需要发送0x59子类

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    如果发生 Qmax 和 Ra 更新、则正确执行学习周期。

    低温会影响 FCC、因为 FCC 由电量监测计计算为该条件下电池的真实容量。

    我不知道什么实现或函数 FG_27542_WRITE_BYTE ()... 所做的事情。

    我建议购买 EVM 并连接 bqStudio、然后使用 I2C 监听器来读取事务。 这是正确的设置。