[参考译文] BQ25710：BQ25710

尊敬的 Paul：

阅读 BQ25710产品说明书时、我有一些问题需要向您提出：

关于 BQ25710、ChargeOption3寄存器(addr=32H)、 设计 IL_AVG 钳位有什么用途？  据我了解、峰值和谷值电流限制是设计的、因此无需设计平均电流限制。

2.关于 BQ25710、Reg21[9]，据我了解，该位是：在启用 VAP 功能之前，应该在 VBUS 上连续7次放电，检测电池是否足够强？ 您能否详细描述位函数？  

LOW_PTM_RIPPLE 位的用途是什么？ 您能描述一下 PTM 控制过程吗？

您好！

平均电流钳位是为了防止电感器电流变得如此高、以免损坏外部开关 FET 这种高电感器纹波。 当然、这并不是完全看峰值电感器电流、但设计人员可以考虑这一点。 这还有助于防止设计人员希望成本优化其电感器 Isat 值时出现电感器饱和。

2.为了将输入去耦电容器充电至20V、电池电压需要处于最小值以启动反向升压模式、从而通过1S 或2S 电池执行此操作。 如果电压过低、无法进入升压模式为电容器充电、或者用于为电容器充电的电流过高、则 VAP 模式不会被激活。

3.在 PTM 模式下，LOW_PTM_RIPPLE 位用于降低电压/电流纹波。 由于我们将驱动 HSFET1和 HSFET2、因此需要对每个 FET 的每个 BTST 电容器进行电荷刷新。 这样做可能会在 PTM 期间导致电感器上出现较大的增量。 该位减少了 BTST 电容器刷新期间的纹波。


此致、
Joel H

我已经对演示进行了测试并理解了演示。 感谢您的回答。