• 状态 Resolved
  • 已锁定 已锁定
  • 回复 13 回复
  • 订户 0 订户
  • 视图 642 视图
  • 用户 0 会员在此处
选项
选项
相关

This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] TPS2411：从 Vdd 到引脚的泄漏路径？

admin
Guru**** 2589035 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS2411

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/729774/tps2411-leakage-path-from-vdd-to-a-pin

器件型号：TPS2411

您好、TI、

我们使用 TPS2411作为 OR BBU (7.2V)和12V 主电源轨的 ORing 电路、发现即使 TPS2411被禁用(始终显示12V)、BBU 的电压仍约为9.26V、确认栅极为0V。

我们以前使用跳线(0欧姆)将源总线(BBU)连接到引脚。 移除跳线后、该泄漏电压消失。

因此、我们需要通过电荷泵和偏置电源部分确认从 Vdd 引脚到引脚是否有任何泄漏路径？

标准

  • 0
    TI__Guru**** 2589035 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Stan、

    从 C 到 IC 内部存在泄漏。 它显示在随附的 PDF 文档中。

    解决方案是根据连接的数据连接上的负载。

    5k A 时、我测量4.6V、-->这意味着0.92mA 的电流。

    在150k A 时、我测量10.0V ->这意味着0.066mA 电流。

    这与 E2E 主题中随附的测量结果一致。

    " e2e.ti.com/.../537301"

    ""

    e2e.ti.com/.../1738.1031.TPS241x-Leakage-Path_5F00_Measurements.pdf

    请告诉我这是否能解答您的问题。

    此致、

    Kari。

  • 0
    TI__Guru**** 2589035 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Kari、

    感谢您的回复。 两个文档的漏电路径不同。 您能否确认哪一个正确？

    您对寄生二极管和电压源的额定电流有什么看法吗？

    实际上、该泄漏电压会导致 BBU 无法正常工作、我们希望使用学习放电 RES 来解决此问题。

    BBU 电压最大值为8.2V、放电电阻总电阻为16 Ω 或24.7 Ω、远低于您在前文文档中测试的放电阻。

    我们希望确保我们的学习放电流不会损坏内部寄生二极管和电压源。

    BR。

    标准

  • 0
    TI__Guru**** 2589035 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Kari、

    根据我们的测试结果、学习模式放电会导致 ORing 内部至少40mA 的浪涌电流。

    请检查寄生二极管是否可以接受此浪涌。

    BR。

    标准

  • 0
    TI__Guru**** 2589035 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Kari、

    您是否对内部浪涌功能有任何更新？

    BR。

    标准

  • 0
    TI__Guru**** 2589035 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好 Stan、

    很抱歉耽误你的回答。
    我对50mA 浪涌电流有疑问。
    当电池从正常运行状态转接时、您能否确认此电流是否流经 IC 而不是外部 MOSFET。
    因为 MOSFET 在关断前会初始允许一些反向电流(基于 MOSFET 使用情况)。
    请确认吗？

    50mA 是通过寄生效应的稍高的数字、我们将对此进行检查并返回。


    此致、
    Kari。
  • 0
    TI__Guru**** 2589035 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Kari、

    这是基于我们的设计的估算值。 BBU 学习放电电阻为25欧姆。

    您是否有关于内部漏电路径电流能力的任何数据？

    BR。

    标准

  • 0
    TI__Guru**** 2589035 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Kari、

    如果我们在引脚上添加与在引脚 C 上相同的 p-ch JFET、该怎么办？ 还是移除 FLTR 和引脚之间的电容、 有什么意见？

    BR。

    标准

  • 0
    TI__Guru**** 2589035 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Kari、

    您是否对泄漏路径的内部电流能力或我的想法有任何更新/评论？

    标准

  • 0
    TI__Guru**** 2589035 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Kari、

    我检查了 C 引脚侧上电/断电期间的泄漏电流。 泄漏浪涌电流约为0.68mA。 您能否检查 TPS2411是否存在风险？

    BR。
    标准
  • 0
    TI__Guru**** 2589035 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Kari、

    你有更新吗？

    BR。
    标准
  • 0
    TI__Guru**** 2589035 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Stan、

    0.68mA 的电流不会是问题。

    但是、25欧姆的学习放电电阻会导致浪涌电流流经外部 MOSFET (当 BBU 导通时、MOSFET 最初处于导通状态)。 当 BBU 关断(放电电阻为25欧姆)时、反向电流会从 C 直接流经外部 MOSFET。 如果该电流超过设置的反向电流阈值、则 MOSFET 将关断。

    您是否看到过这样的情况？

    我们需要确认是否所有测得的浪涌电流都流经 MOSFET 外部或内部流向 IC？

    此致、
    Kari。
  • 0
    TI__Guru**** 2589035 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Kari、

    我们仅在 ORing 控制器禁用时执行学习放电。 外部 MOSFET 是 B2B 连接。

    因此、我们没有看到您提到的情形。 在系统上电期间、由控制器内部路径从 C (主12V)泄漏到 A (BBU)的0.68mA 浪涌电流。 我通过引脚 C 上保护电路的电阻器(1K)上的 Vdrop 计算了该电流

    最坏的情况是、在启用学习放电期间甚至大于浪涌。

    BR。

    标准

  • 0
    TI__Guru**** 2589035 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Stan、

    感谢您让我们更详细地了解您的应用。

    通过1k Ω 电阻器测量的0.68mA 电流在此不是问题。


    此致、
    Kari。