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器件型号：UCC27611 为了评估此器件(UCC27611)在新的连接卫星中的使用情况、我们必须消除辐射行为。 由于不同的事件会根据技术影响去器件。 据我所知、该器件采用 GaN 技术制造。 我们知道这一点
GaN 是一种宽带隙材料、与硅相比、漏源极距离可以小10倍、这意味着 RDS (on)要小得多。 虽然硅 FET 非常接近其通道长度的理论限值、但 GaN 仍有更多改进空间。 GaN 对电源设计人员的优势包括尺寸、重量和效率。
此技术对 TID (低剂量率)、SEB 和 SET 敏感。
另一方面、GaN 器件通常封装为分立式器件、并由单独的驱动器驱动、因为 GaN 器件和驱动器基于不同的工艺技术、可能来自不同的制造商。
总之，我的问题是：哪些辐射事件(TID、SEB、SET、SEGR、SEL...) 必须考虑的一些其他因素(UCC27611)？ 是否有任何建议？
非常感谢您的快速回复。
Daniel Cruz
