大家好、
我使用的 BQ77905与在 EVM 中实现的方式非常相似。
我看到 IC 没有内置的预充电选项、对吧？
我的问题是、在深度放电的情况下会发生什么情况。
例如、UVP 将作出反应、然后6个月后、待机电流将降低电池电压。
CHG FET 将不会再打开。
BTW、我在低侧使用了一条连接 CHG + DSG 的路径。
已运行
您好、Ran、
好的、我明白了。 答案取决于 FET Vgs 导通电压、但您还必须考虑 BQ77905的 V (FETON)、如下表所示。
如果电压低于 FET 的 Vgsth、则没有电流、因此没有电源、电池也不充电。
如果电压为 Vgsth、则电流很小、功耗很小、但电池充电速度慢。
电池充电缓慢时、Vgs 将上升、FET 将导通以拉取更多电流、从而提高 FET 中的功率。 电池中的电流越大、电压升高速度就越快。 FET 温度的消失可能是电压快速上升的问题、但这可能取决于系统部件、FET、电池、充电器。
如果电池单元放电到极低的水平、则存在潜在的安全问题。 请参阅我们近期的电池管理深入研究演示中有关高电池节数应用设计注意事项的以下说明。
如果过度放电或长时间存储在~2V 以下、锂离子化学物质可能会分解电极材料(有关详细信息、请参阅电池制造商的数据表)–这会增加自放电率。 低于~2V 时、阳极电流收集器中的铜溶解到电解液中。 再次充电至2V 以上时、铜会随机沉积、可能导致短路。 低于~2V 时、阴极也可能会逐渐分解、从而通过锂钴氧化物或锂锰氧化物释放氧气。 这会导致永久性容量损失。
对已严重放电的电池进行充电时、最好使用较低的电流进行预充电、直到电压达到足够高的水平、从而实现安全快速充电。 我们的许多监测计 IC 都提供此功能、例如 BQ40Z50-R2和 BQ78350-R1。
此致、
Matt
