[参考译文] TPS23754：偏置电压生成和有源钳位 FET 选择

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/749506/tps23754-bias-voltage-generation-and-active-clamp-fet-selection

器件型号：TPS23754
主题中讨论的其它部件：、、PMP9563

大家好、

我有两个关于 TPS23754的问题。

首先、控制器具有一个额外的栅极、用于控制用于初级绕组阻尼(有源钳位)的 MOSFET。但是，我无法找到有关该 MOSFET 的任何要求。

其次、为了生成偏置电压(VC)、我在数据表中看到两种类型(请参阅下图)：

·一个二极管
·两个二极管和一个电感器。

为什么有两种变体、选择一种变体而不选择另一种变体的理由是什么？

此致、

古斯塔夫

7 年多前

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2571885 points

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问候 Gustaf、感谢您在本地对 PoE 解决方案的支持。

目前、我们的员工正在享受美国感恩节假期。因此、我们仅提供有限的 E2E 论坛。应用工程师将在11月26日星期一之前回答您的问题。

感谢您的理解、

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2571885 points

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您好、Gustav、

我目前正在研究您的问题、并将在明天再次与您联系。

谢谢、
Tom Amlee
PoE PD 应用工程师

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2571885 points

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您好、Gustav、

将偏置绕组视为类似于次级绕组。 VC 的偏置电压只是另一个输出。

对于反激式偏置电源电路(TPS23754EVM-383)、需要使用单个整流二极管、因为电源仅在关断期间传输、并且必须在导通期间阻止电流。

对于有源钳位正向转换器(TPS23754EVM-420)、次级侧的正向和整流二极管将在偏置绕组电路上以类似的方式表示、以保持正确的偏置电压。概括而言：电流流经次级的方式类似于电流流经偏置绕组电路的方式。有关有源钳位 oward 基本操作的更多详细信息、请参阅本应用手册(www.ti.com/.../slua535.pdf)的第2节。

拓扑是这些偏置绕组电路之间差异的动力。

此致、
Tom Amlee
PoE PD 应用工程师

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2571885 points

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Gustav、

对于 GAT2、我可以给出的最佳建议是选择 Qg 小于栅极 Qg 的 FET (实际上、它的尺寸尽可能小)。如果两个 FET 的 Qg 过高、则 VC 将难以提供足够的栅极驱动、因此需要向 VC 添加额外的电容。

此外、TPS23754EVM-420中使用的 FET 不是理想的(电流额定值过低)。我建议在 PMP9563中使用低侧钳位 FET (Q1)。 http://www.ti.com/tool/PMP9563

此致、
Tom Amlee
PoE PD 应用工程师

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