[参考译文] AFE OCD/AFE 保护工作早期问题

你(们)好
我将 STM MCU 与 bq76930配合使用、并正确设置 PROTECT1/PROTECT2寄存器。

应在控制器上进行校准、以确保检测电阻器上的读数准确无误。
=>校准意味着什么？ 是否设置 PROTECT1/PROTECT2寄存器？ 还是其他东西？

谢谢

你(们)好

我使用 Agilent 数字万用表测量电压

我读取两个寄存器(CC_HI (0x32)、CC_LO (0x33))、以根据以下公式获得 CC 读取值
μV 读数(以 μ μV 为单位)=[16位二进制补码值]μ×(8.44 μ A/LSB)

来自 AFE 的 CC 读取电压值与来自 Agilent 数字万用表的电压值相同。


对于 TI BQ76930 AFE、是否需要额外校准？
或者我只需要正确设置寄存器？

谢谢、
Matt

Matt、

问题不在于万用表、而是很难在非常小的感应电阻器上进行电压测量、而不会影响测量的布线阻抗和阻抗。 我想 Willy 在之前的同一个问题上为您提供了帮助、并解释了为何这种测量很困难而没有大错误(可能是一个不同的项目？)： e2e.ti.com/.../714607
您以前是如何解决该问题的？

此致、
Matt

您好、Matt
您以前是如何解决该问题的？
=>我们没有解决这个问题。

这适用于另一位客户。
我们重现问题。
我们还使用相同的测试方法使用 bq76930EVM 来测试 OCD/SCD 保护。
bq76930EVM 的测试结果优于我们的 PCB。
有什么建议吗？

谢谢

您好、Matt、
没有实际电流。
我们使用电源在 SRN-SRP 之间产生电压差、如图所示。

EVM 和 PCB 之间的唯一区别是这一点
PCB 中 SRN/SRP 和 R335/R336之间的布线导线比 bq76930EVM 中 SRN/SRP 和 R2/R4之间的布线导线长。

这种差异会影响 OCD/SCD 保护的测试结果？

谢谢

您好、Matt、
我们使用电源在 SRN-SRP 之间产生电压差。
我们使用数字仪表测量82mV 的电压、如下所示：

此外、我们读取寄存器(CC_HI、CC_LO)以获得 CC 读取、并通过 I = V/R 公式获取电流值
电流值为82A (82mV、Rsense 为1m Ω)、如下所示

82mV 低于我设置的 OCD 阈值、OCD 是如何发生的？

基于 bq76930数据表图7-1。 功能方框图
发生 AFE OCD/SCD 的情况由16位 ADC 值或 OCD/SCD 比较器确定？ 还是其他东西？

尊敬的 Matt
我们非常确信我们正确设置了相应的寄存器。 您是否有任何建议或方法来帮助我们澄清为什么 OCD/SCD 会在 PCB 板上提前触发
谢谢

尊敬的 Matt：

我们在下面的代码中添加了"delay 300ms"、然后再次测试我们的 PCB。
我们发现 SCD 测试结果会变得更好、测试结果如下所示
所有误差率均小于10%。
I2C 读数如何影响 SCD 测试结果？
I2C 读取频繁会影响 AFE SCD COMP？
是否与 I2C 隔离相关？ 我们使用两个 AFE 参考 TI 文档"TI Designs 20系列电池管理模块参考设计"

有什么建议吗？

测试结果(延迟300ms)：
SCD_THRESH_44mV             41.5mV 安全 SCD 保护工作正常        误差率：5.6%
SCD_THRESH_67mV             64.2mV 安全 SCD 保护工作正常        误差率：4.1%
SCD_THRESH_89mV             83.1mV 安全 SCD 保护工作正常        误差率：6.6%
SCD_THRESH_111mV            102mV 安全 SCD 保护工作正常        误差率：8.1%
SCD_THRESH_133mV            124.5mV 安全 SCD 保护工作正常       误差率：6.3%
SCD_TRHESH_155mV            147.2mV 安全 SCD 保护工作正常       误差率：5%
SCD_THRESH_178m             166mV 安全 SCD 保护工作正常        误差率：6.7%
SCD_THRESH_200mV            184.9mV 安全 SCD 保护工作正常       误差率：7.5%

测试结果(无延迟300ms)：
SCD_THRESH_44mV             37.7mV 安全 SCD 保护工作正常         误差率：14.32%
SCD_THRESH_67mV             56.7mV 安全 SCD 保护工作正常          误差率：15.37%
SCD_THRESH_89mV             75.6mV 安全 SCD 保护工作正常         误差率：15.06%
SCD_THRESH_111mV             98.2mV 安全 SCD 保护工作正常         误差率：11.53%
SCD_THRESH_133mV            113.1mV 安全 SCD 保护工作正常        误差率：14.96%
SCD_TRHESH_155mV            147.2mV 安全 SCD 保护工作正常        误差率：5.03%
SCD_THRESH_178m              158.5mV 安全 SCD 保护工作正常       误差率：10.96%
SCD_THRESH_200mV            173.5mV 安全 SCD 保护工作正常        误差率：13.25%

//添加延迟300ms
MAIN ()
｛
  (笑声)
  while (1)
  ｛
    (笑声)
    I2C 读取/写入...
    HAL_DELAY (300)；
  ｝
｝

谢谢

您好、Matt、

PCB 中 I2C 的布局如下所示、请帮助检查

谢谢

尊敬的 Matt：
我之所以在系统运行(读/写安全寄存器和其他任务)期间尝试延迟300ms、是因为这样

当我使用 bq76930EVM 和 bq769X0评估软件工具时、数据扫描间隔的最小限制为：250ms
2.在 TI TIDA-0049固件代码中、任务会在一段间隔时间后读取寄存器
configTask (Task_00、Taska、interval_2ms)；
configTask (Task_01、taskB、interval_10ms)；
configTask (Task_02、taskC、interval_1000ms)；

基于这两点、我尝试进行测试(延迟至少300ms)并获得更好的结果。
您对这两点有什么想法/建议吗？

bq76930EVM 与我们的 PCB 之间存在差异、即我们的 PCB 使用具有 CRC 的 bq76930 afe、不具有 CRC 的 EVM。 CRC 计算可能会对 AFE SCD COMP 产生严重影响？ 有可能吗？


如果用户不想公开共享、则可以通过私人邮件共享它。
=>如何私下发送给您？

谢谢、
Matt

您好、Matt、
我通过私人消息提供了原理图。
请帮助检查

谢谢、
Matt