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[参考译文] TPS22918:施加外部输入时负载开关输出的使用

Guru**** 2387060 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS22917, TPS22918
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/730917/tps22918-usage-of-load-switch-output-when-the-external-input-is-applied

器件型号:TPS22918
主题中讨论的其他器件:TPS22917

您好、Alek、

我们已按照您的建议使用了 TPS22917 IC、与 TPS22918负载开关相比、该 IC 仅增加了反向阻断保护功能。 我们看到 CT 引脚的差异、因为它在 TPS22918数据表中连接到 GND、在 TPS22917数据表中连接到 VCC。 我们使用了 TPS22917 IC 并连接到 GND、请告诉我如果连接到 GND 将会发生什么情况。 请查找 随附的图像以供您参考。

请告诉我两个数据表中 CT 电路为什么不同。  

此致、

Sathyasai

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    您好 Sathyasai、  

    感谢您与 E2E 联系! Alek 已接管电源开关中的系统角色。 自我介绍一下、我是负载开关、电源多路复用器和低侧开关领域的新应用工程师。

    TPS22918将一个 NFET 用于内部导通 FET、而 TPS22917使用一个 PFET。 根据您选择的 FET 类型、器件将以不同的方式开启、而 CT 将对开启产生不同的影响:

    1. 在 NFET 架构(TPS22918)中、我们将 CT 连接到 GND。 为了使 NFET 正常工作、FET 的栅极需要高于 FET 的源极(VOUT)。 为了使 Vgate 高于 Vout、一个内部电荷泵为 Vgate 充电。 通过引入从 Vgate 连接到 GND 的 CT 电容器、这会减慢 Vgate 上的充电时间。   
    2. 在 PFET 架构(TPS22917)中、CT 连接到 VIN。 为了使 PFET 正常工作、FET 的栅极需要低于 FET 的源极(VIN)。 启动时、Vgate 上的电压与 VIN 相同。 当器件导通时、VgATE 通过内部开关拉至 GND。 通过将 CT 从 VIN 添加到 Vgate、这会减慢内部开关的下拉时间。

    如果您有任何其他问题、请告诉我!

    谢谢、

    黄亚瑟


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    尊敬的 Arthur:

    谢谢。

    我们在设计中使用了 TPS22917并将 CT 引脚连接到 GND、而不是 VIN。 是否会造成任何问题。

    请查找随附的原理图以供参考。

    此致、

    Sathyasai

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    您好 Sathyasai、  

    是的、这将对 CT 连接中使用的内部通道造成额外的应力。 在较低的 CT 值下、不会对器件施加太大的应力、但无论在哪种情况下、我们都建议不要将 CT 引脚连接到 TPS22917上的 GND。  

    谢谢、

    黄亚瑟

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    尊敬的 Arthur:

    感谢您的解释。
    如前所述、通过将 CT 从 VIN 添加到 Vgate、这会减慢 TPS22917中内部开关的下拉时间。 由于我们已经收到组装电路板、我将移除设计中的电容器(C60)。 请告诉我、如果电容器未从 VIN 连接到 Vgate、会产生影响。 它会减小从 VIN 到 VOUT 的延时时间吗?

    此致、
    Sathyasai
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    您好 Sathyasai、  

    如果 CT 电容器未从 VIN 连接到 CT 引脚、器件将以最快的时序斜升。 其斜升速度最终取决于您的输出负载和 VIN、您可以在数据表第6页中估算导通时间、或在电路板上运行测试以获得更准确的结果。

    谢谢、  

    黄亚瑟

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    尊敬的 Arthur:

    根据数据表、导通时间为120us (3.3V)、这对我们来说很好。
    感谢您的支持。

    此致、
    Sathyasai