[参考译文] LM5069：栅极上使用齐纳二极管的输出电压钳位在高温测试时出现故障、MOSFET 出现故障

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/746041/lm5069-output-voltage-clamping-with-a-zener-on-the-gate-malfunctions-at-high-temperature-testing-and-mosfet-failed

LM5069在栅极上设计了齐纳二极管-此设计实现了大于32.5V 的瞬态钳位。 MOSFET 在高温测试中失败、Ta = 55DegC。

使用的齐纳部件号： BZT52C36-7-F  

FET 部件号： AUIRFS3107TRL

模块测试条件：输入电压28V DC (正常运行)，I_FET = 10A，Ta = 55DegC

测试观察：  

1.发现 MOSFET 过热，正常工作故障。

更换 FET 后、继续测试并探测电路以进行分析。

发现齐纳电压(V-Gate 至 SGND)在较高的工作温度下逐渐降低。

4.齐纳电压逐渐从36V 降至33V，从而使 FET 以线性模式运行，输出电压下降。 测试已停止以避免 FET 故障。

在同一个上请求您的支持。 根据齐纳二极管数据表、所需的 Izmin (Izzknee)为500uA、其中仅16uA 电流源偏置齐纳二极管。 请澄清。

此致

Shamsad P K