[参考译文] BQ25890：BQ25890瞬态至高阻态模式异常

你(们)好 Eric

感谢您的回复。

我更改了所有这些电容器、但问题仍然存在。

在现场支持并检查不规则波形之后、我发现我对这种现象的理解不正确。

我测量了 SW 波形的平坦线部分、电压电平远高于 Vbat、但低于 Vbus。

我怀疑我看到的是100%占空比运行、而不 是 HIZ 模式。

我想在引导电容器电压降至引导电容器 UVLO 阈值之前、再次检查 BQ25890是否能够在100%占空比下运行？

这种现象仅发生在 VBUS 处于低电平(我们将 VINDPM 设置为4.5V、充电期间 VBUS 下降至4.5V)但高于 VBAT+80mV 时。 当电池电压较高时、降压转换器需要使 VSYS 接近4.35V、以提供足够的充电电压。

由于 D=Vout/Eff*Vin、高达1A 的电流流经高侧 FET、占空比可能达到100%。

触发启动电容 UVLO 后、需要几个刷新周期来增加启动电容电压、以存在 UVLO 章程。