[参考译文] LM5175：LM5175和 LM5176的 OVP 规格

您好、Shinichi、

原始问题的答案(很抱歉、我不复制并在此处逾期)：
(1)我们只有典型值、这些值由设计保证、但在特性描述期间没有进行特别测试。
(2)在 OVP 事件期间、所有 FET 停止。
(3)延迟时间没有特性、但不应超过1us。
(4)这是一个很好的问题。 它不会损坏 Rsense 和 FET、但如果您通过控制 FB 电压来调节 Vout、过快的变化会导致 OVP 事件、运行将停止、稍后重新启动。 为了防止这种中断、应逐渐施加电压调节控制、从而留出转换时间。

在这种情况下、反向电流将从输出流向输入。 是的、低侧降压开关可能具有一些电压应力。 但是、它自然被高侧体二极管钳制。

简而言之、是的 LM5175/76可保护此类条件。 确保您的布局经过优化(请参阅我们的数据表和 EVM 示例)、以使高侧 FET 体二极管有效。

谢谢、
Youhao