[参考译文] LM5088：反相降压/升压配置

接地漂移时、IC 应正常工作。

最坏的情况是8V IN、使用非理想的组件时、这会使 D=0、75、并且在25%的关断时间内、5A 直流输出需要20A 来为输出电容器充电。 实际上、电容器中的电流为15A、输出中的电流为5A、但 FET 和二极管中的电流为20A。 这可能是 WebBench 找不到 FET 的原因。

以数据表中的 Si7148 (75V/28A/11mR)为例，允许加热时的导通电阻增加50%，您得到20A*20A*011R*1,5*75%= 5W 的电阻损耗，而不考虑开关(猜测：2W)。

使用仅具有2MR 的怪兽级 FET、栅极电荷会上升至135nC、这意味着在1、5A 栅极驱动下 TR=Tf=90ns。 这意味着8W 开关损耗不考虑电阻损耗。

FET 裸片尺寸的折衷会在这两种情况下均稳定在3W 左右、即总功率为7W。 要耗散7W 功率、您可以将 TO220螺钉固定到散热器上、或使用金属基板 PCB。

一种方法可能是将开关频率从550kHz 大幅降低到130kHz、以降低开关损耗、并使用具有2个8mR 范围并联 FET 的小 Ron 在电路板上散热。 或者、选择一个具有回流散热器的 D2PAK、一个 Polar PAK (又称为 DUAL COOL、SUPER SO8暴露顶...) 散热器的散热器。 减小的因素是电路板空间和电感器尺寸。 侧注：基波保持在150kHz 以下非常适合传导 EMI。

对于二极管、在 D2PAK 中为80-100V (MBRB...) 或 TO277 (SS..P.. /V.P. 从 Vishay 开始)是一个很好的开端、第一个带有可焊散热器、第二个带有金属基板。

这是一项挑战、除非您设计的是1A、并且依靠热质量来承受5秒的电流。 我上面针对5A 直流的计算可能会过大、但通过查看许多器件的瞬态阻抗曲线、可以看到5s 比脉冲负载更接近直流。