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[参考译文] LM5088：反相降压/升压配置

admin
Guru**** 2496895 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5088, LM5085

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/729506/lm5088-inverting-buck-boost-configuration

器件型号：LM5088
主题中讨论的其他器件： LM5085

团队、

我的客户正在寻找反相降压/升压：8V-46V 输入、20V 输出@ 1A 连续电流、5s 尖峰高达5A。 我现在看的是 LM5088、它似乎具有足够宽的输入电压、可用于符合其规格的反相降压/升压配置、但只需确认它可以正常工作。 您是否看到使用此器件时出现任何问题？ 如果没有、您能否推荐合适的 FET 和二极管？

谢谢、

Antonio

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    TI__Guru**** 2496895 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    标准反相降压/升压转换器不适用于降压控制器 LM5088、SW 节点的摆幅将低于 GND 20V。
    如果您未连接 CS 并找到正确获取反馈(镜像？)的方法、则可以为此修改 P-FET 控制器 LM5085、使环流二极管朝向-Uout 而不是 GND。 FET 必须阻断 uIN+Uout 之和。
    但为什么不使用专用 IC？
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    TI__Guru**** 2496895 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Holmer、

    请参阅以下内容、了解我的配置。 IC 将以负输出为基准、因此 SW 节点仍应处于规格范围内。 此电路是否存在任何问题？ Webench 似乎无法找到适合5A 输出的 FET、因此我只想了解任何限制：

    此致、

    Antonio

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    TI__Guru**** 2496895 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    接地漂移时、IC 应正常工作。

    最坏的情况是8V IN、使用非理想的组件时、这会使 D=0、75、并且在25%的关断时间内、5A 直流输出需要20A 来为输出电容器充电。 实际上、电容器中的电流为15A、输出中的电流为5A、但 FET 和二极管中的电流为20A。 这可能是 WebBench 找不到 FET 的原因。

    以数据表中的 Si7148 (75V/28A/11mR)为例，允许加热时的导通电阻增加50%，您得到20A*20A*011R*1,5*75%= 5W 的电阻损耗，而不考虑开关(猜测：2W)。

    使用仅具有2MR 的怪兽级 FET、栅极电荷会上升至135nC、这意味着在1、5A 栅极驱动下 TR=Tf=90ns。 这意味着8W 开关损耗不考虑电阻损耗。

    FET 裸片尺寸的折衷会在这两种情况下均稳定在3W 左右、即总功率为7W。 要耗散7W 功率、您可以将 TO220螺钉固定到散热器上、或使用金属基板 PCB。

    一种方法可能是将开关频率从550kHz 大幅降低到130kHz、以降低开关损耗、并使用具有2个8mR 范围并联 FET 的小 Ron 在电路板上散热。 或者、选择一个具有回流散热器的 D2PAK、一个 Polar PAK (又称为 DUAL COOL、SUPER SO8暴露顶...) 散热器的散热器。 减小的因素是电路板空间和电感器尺寸。 侧注：基波保持在150kHz 以下非常适合传导 EMI。

    对于二极管、在 D2PAK 中为80-100V (MBRB...) 或 TO277 (SS..P.. /V.P. 从 Vishay 开始)是一个很好的开端、第一个带有可焊散热器、第二个带有金属基板。

    这是一项挑战、除非您设计的是1A、并且依靠热质量来承受5秒的电流。 我上面针对5A 直流的计算可能会过大、但通过查看许多器件的瞬态阻抗曲线、可以看到5s 比脉冲负载更接近直流。