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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/729648/capacitive-isolation
TI 将电容隔离方法用于隔离栅极驱动 IC
是否有关于高侧和低侧之间的电容器引起的 EMI 问题的研究？
您好、Albert、
对于高侧和低侧通道之间的任何潜在 EMI、我没有发现任何具体研究。
根据您的系统/应用需求、请考虑使用 UCC21225A 双通道隔离式栅极驱动 器、该驱动器在高侧和低侧之间使用功能隔离栅、并允许两个次级侧驱动器之间的工作电压高达700VDC、符合行业安全认证。
该功能隔离栅 基于一系列蚀刻在硅中的电路。 其中心是二氧化硅制造的电容器、通过利用基于边沿的检测方案来阻止直接电流。
以下链接讨论了我们隔离技术的一些测试/研究。
www.ti.com/.../slyy081.pdf
如果您需要进一步的帮助、请告知我们、如果这有助于解决您的问题、请按绿色按钮。
谢谢。
此致、
-Mamadou
