[参考译文] LM5066I：PWR 电阻器的功能和影响

顺便说一下、这是数据表中的误差吗？

尊敬的 Christian：

感谢您选择此器件。 最大值是多少 系统的负载电流？
应修改 Rsns 以支持更高的电流。 您能否在 www.ti.com/.../toolssoftware 上填写设计计算器工具 并发送给我。

此致、
Rakesh

尊敬的 Christian：

这是数据表中的错误。 分子和分母交换。
我们将在下一版数据表中进行调整。 感谢您的注意。

此致、
Rakesh

您好、Rakesh、

请查看我的填充设计计算器工具 ：e2e.ti.com/.../LM5066I_5F00_Design_5F00_Calculator_5F00_REV_5F00_C.xlsx

该系统中的最大电流将持续为10A。 组装 R_SNS 附近的 R_CL1和 R_CL2电阻器、以将最小电流限值增加到10A 以上

我仔细检查了设计计算器中的一些值、然后发现了更多不清楚的东西。 第一个是所用 MOSFET SIR870ADP 的 SOA。 根据其数据表图、在~33V 的 V_DS 下、可安全地在10ms 内放电5A。

当使用第一个 POST 的电路图中显示的初始 dv/dt 值并且 R271 = 100k 时、3.3欧姆高功率电阻器和3个220 uF 电容器的负载可在~15ms 内打开。 该启动斜坡期间的平均电流为4.5A、适合 SOA。 此外、在运行(多个热插拔)时、可以开始出现短路并连接短路或负载、而不会出现太多的温升。 但在本例中、设计计算器工具在"SOA 启动期间裕度"字段中显示了一个关键值。 FET 功率图从150W 开始、并在~16.5ms (=1.24WS)内线性下降至0。

CH1：负载上的电压
CH2：LM5066的使能信号
Ch4：流经负载的电流

因此、我尝试了设计计算器工具的建议值、主要是 dv/dt 电容器的200nF。 当然、这会导致~150ms 的斜升时间更长、但具有相同的4.5A 平均电流、而该平均电流不再处于 SOA 范围内。 在本例中、FET 功率图从7W 开始、并以线性方式下降至0、IN ~330ms (=1.16WS)。

请告诉我推理是否出错。 也许我正在过多地简化电流斜坡、或者忽略热阻抗？

此致、
Christian

尊敬的 Christian：

在第一个测试波形上、输出在15ms 内出现。 因此、对于33V 输入、Vout 下的斜升速率约为2V/ms。
2V/ms 的速率使用1.32A 充电电流为3个220 μ F 电容器充电、同时3.3欧姆负载放电... 例如、在6V 输出电压下、3.3Ohm 放电电流占主导地位、因此没有电流为3x 220 μ F 电容器充电。 我想知道 Vout 是如何出现的？ 我是否可以遗漏一些东西。 请在结束时进行交叉检查、如果需要、我们将讨论电话转接。

此致、
Rakesh

尊敬的 Christian：

是否有更新以关闭此项？

此致、
Rakesh

您好、Rakesh、

我对电路做了一些调查、发现了更多问题。 我的电流假设是、串行线圈在输出端连接短路时会导致电压峰值、从而破坏开关 FET。 这个问题暂时推迟。

相反、几乎完全相同的 LM5066i 电路存在一个陌生的问题。 使用49V 为其供电时、输出电压可打开、但在一段时间(~60秒)后似乎会随机关闭。 之后、可以再次打开电压、但会立即再次关闭。 我将对此进行进一步测试、并可能打开单独的帖子、因为这是一个不同的问题。