大家好、
我们的一位客户正在考虑将 TPS22918用于他们的新产品。 在其应用中、TPS22918 VOUT 作为 CL 连接到10uF。 器件数据表(SLVSD76C)显示"由于 MOSFET 中的集成体二极管、强烈建议使用大于 CL 的 CIN。 当系统电源被移除时、大于 CIN 的 CL 会导致 VOUT 超过 VIN。' 在9.2.2.2输出电容器(CL)(可选)部分中添加了说明。
根据描述、客户需要 使用100uF 的 VIN-GND 电容(CIN)。 但客户不想使用100uF 陶瓷电容器 、因为电容器会很高并且电容器面积很大。
可以减小 CIN 值吗？ 如果答案是"是"、您能否给我建议或评论、说明可以减少多少 CIN？
非常感谢您的答复。
此致、
Kazuya Nakai。
您好、Nakai-San、
感谢您与 E2E 联系！
我们建议在输入电容和输出/负载电容之间保持10：1的比率。 虽然这本质上不是问题、但当 COUT > CIN 时、需要考虑两个潜在问题：
2： 如果在器件启用时 VIN 突然下降、可能会有一小段时间 VOUT > VIN。 如果发生这种情况、可能会对器件内部的体二极管进行偏置、并导致反向电流上游流动。 在器件保持启用状态时是否会出现 VIN 突然被移除的情况？
如果您未发现任何一种情况都有问题、则可以减少 CIN。 将其保持在与 COUT 相同的值应该是可以接受的、因此输入上的10uF 应该起作用。
谢谢、
黄亚瑟
要查找有关电源开关的最新信息、请访问 www.ti.com/powerswitch
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您好、Nakai-San、
让我尝试一次回答一个问题。 请在下面找到您的问题的答案：
1： 在 TPS22918 情况下、允许的最大电流值和从 VOUT 到 VIN 经过体二极管的电流流动时间有多大？
在我们建议的工作条件下、我们指定 VOUT 不应大于 VIN。 如果体二极管正向偏置、则不会控制流经二极管的电流量。 由于无法控制这一点、我们不会测试体二极管或对其进行特性描述、以保证通过二极管的正向电压或特定电流。
2： 在11.1布局指南部分中、建议将 X5R/X7R 电容器用于 VIN 和 GND 之间的旁路电容。 所需的旁路电容器是否与 CIN 分离？
否、旁路电容器与 CIN 建议相同。 有关其他详细信息、请参阅图11.2布局示例。
3： 我的客户将使用10uF 的 CIN 和 CL。 当 TPS22918 导通后 VOUT 超过1.2V*97%时，其系统中的 VIN=1.2V，其连接到 TPS22918 VOUT 的负载电路处于睡眠模式(ICC=0uA)。 然后、他们想知道在某些 CT 值情况下 VOUT 的上升时间。 器件数据表中的表2显示了 CIN=1uF、CL=0.1uF 和 RL=10欧姆条件下的上升时间。 即使 VIN=1.2V、CIN=10uF、CL=10uF 且 RL=空 载、上升时间是否与表2相差不大？
负载开关的上升时间最终取决于几个因素、包括压摆率、负载电阻和输入电压。 CIN/COUT 对上升时间的影响不大、因此在下降时间中更重要。 您可以使用数据表中的第8.3.3节估算器件在常见 CT 值下的上升时间。
谢谢、
谢谢、
黄亚瑟
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