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器件型号：LM5105 主题中讨论的其他器件： SN6501
我们尝试使用 LM5105来驱动两个 N 沟道 FET、这些 FET 将控制50V B+、以将射频功率 GaN 晶体管漏极。
我们之所以选择此 IC、是因为它能够快速打开和关闭50V B+电源轨。
我们需要 CW 和快速脉冲控制。
我们构建了数据表7.2功能方框图中显示的基本电路。
VDD 引脚具有12VDC。
N 沟道 FET 位于50VDC 轨上。
N 沟道 FET 之间的输出加载1K 欧姆以进行测试。
输入引脚在开路(引脚在内部被拉至低电平)和5VDC 之间手动切换。
我们注意到的是、只要我们将50V 电源轨保持在大约16V 以下、电路就能正常工作。 高于16V 时、电路在我们的 CW 条件下无法工作。
1) 1)该芯片是否会在 CW 条件下运行？ (如果是、我们需要更改什么？)
2) 2)如果没有、我们是否需要满足最小脉冲频率、宽度和占空比？
3) 3)如果这是我们应用的错误器件、您能否推荐更好的产品？
