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[参考译文] LM5141-Q1输出非常弱

Guru**** 2496645 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5141-Q1

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/728499/lm5141-q1-output-is-very-weak

主题中讨论的其他器件:LM5141LM5141-Q1

e2e.ti.com/.../LM5141_2D00_Q1-5.2V.pdf

全部为:μ A

我是一名中国电子工程师, 我对 LM5141-Q1有问题,我的英语很差,所以我无法描述非常详细的,只有 示意图和 PCB 图层。

主要问题:

1, 输入为25V-42V,输出为5.2V

当输入为18V,负载超过200mA 时,它不起作用

,电感非常热

输入电压为40V,负载电流仅为20mA,不起作用

振幅(我没有照片,但我确信)

 

2, ,IC 热量的主要原因?通常情况下,开关 MOSFET 在外部主电路电流从 IC 流出、这让我感到惊讶

 

 

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    最好能看到 MOSFET 的 SW、HB 和栅极的一些波形。

    我认为您的布局可能需要一些改进。
    电容 C4、C7、C8需要与 MOSFET 位于同一侧。
    我不认为 R4应该在那里。
    C4、C7、C8的接地应靠近 MOSFET 的接地端。
    接地层之间应该有更多的接地过孔。
    最好让 C10更靠近器件。
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    非常感谢,我 尝试更改 C4 C7 C8位置,正如您所说的,这次,负载可以是1A。 但 IC 太热而无法保护,因此我能解决这个问题的原因是什么?

    我认为 C10 离 IC 不远,,现在我无法 在 IC 附近移除它,因为  路径太小。  

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    迪尔:

    正如您所说的,我更改了电路  

    现在 、我更改了一 个新的 IC,它可以加载5.2V 1A (也许,旧的 IC 长期以来受到了伤害)、

      。,波浪不寻常,对于图片来说。我认为 IC 很热但我不知道如何改进。

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    波形看起来非常奇怪。 我认为一些布局问题应该先解决。
    添加更多接地平面并连接到 IC 的 DAP 将有助于散热。