[参考译文] LMG1020：能否使用具有4.5V 直流电源的 LMG1020？

您好、Sangbeom、

欢迎使用 e2e！！ 感谢您询问 LMG1020、我是一名应用工程师、将为您提供帮助。

LMG1020建议的 VDD 最小值为4.75v。 该器件的工作电压应高于 UVLO 最大导通电压4.33v。

在4.5V 下使用 VDD 只会在驱动器达到 UVLO 条件(在该条件下驱动器将被禁用)之前留下大约200mV 的余量。 无论如何、让我来了解一下4.5V 时的可靠性并更新您的情况。

您可以在输出端使用简单的电平转换器、该电平转换器位于驱动器和 FET 之间、具有独立的4V 电源。 您还可以使用更高的栅极电压 FET。 您是否使用 GaN FET？

谢谢、

感谢您的善意帮助。

遗憾的是、我无法使用分压器。 我认为带电阻器的分压器可能会降低60MHz 脉冲瞬态和 RMS 电流消耗的容性负载。 1nF 负载下的1ns~2ns 上升时间对我来说是非常重要的因素。

更详细的是、我需要对1nF 电容器进行极快的脉冲充电和放电、使其具有几乎完美的瞬态和预先调整的时序。
我想将 LMG1020用作电容负载的数字缓冲器。 (是的、我需要非常高的电流4V OUT 逻辑缓冲器。 XD)

由于具有低电流电源能力、传统电平转换器 IC 不适用于这种情况(1nF/4V/60MHz)。
因此、正如我首先提到的、我考虑使用简单的 MOSFET 缓冲器进行电平位移。 (必须实现1nF 负载/2ns 上升时间)

分立式 BJT 缓冲器可能是一种解决方案、因此我认为不需要将 LMG1020用于逻辑缓冲器。
(我不喜欢分立式设计、而且我希望使设计尽可能小。 这是我目前最后的解决方案)

最后、我认为我应该改变我的问题。
是否有用于1nF 负载且上升时间为2ns 的4V~5V 逻辑缓冲器？

我会将我的问题发布到逻辑论坛。

谢谢你。