我将在项目中使用 LMR23630。
我在阅读 LMR23630数据表时有疑问。
(即 LMR23630用于运行内部控制块和 FET 驱动器的迭代 LDO。)
在数据表中向我 μF "将额定电压为2.2 μ F 至 μF μ F、电压为16V 或更高的高质量陶瓷电容器尽可能靠近 VCC 放置并接地至裸露的焊盘和接地引脚"
但我想使用6.5V MLCC。
它是不是很好还是很不好?
我想知道、为什么 MLCC 的额定电压为16V? (输入电压最大值为38.0V)
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我将在项目中使用 LMR23630。
我在阅读 LMR23630数据表时有疑问。
(即 LMR23630用于运行内部控制块和 FET 驱动器的迭代 LDO。)
在数据表中向我 μF "将额定电压为2.2 μ F 至 μF μ F、电压为16V 或更高的高质量陶瓷电容器尽可能靠近 VCC 放置并接地至裸露的焊盘和接地引脚"
但我想使用6.5V MLCC。
它是不是很好还是很不好?
我想知道、为什么 MLCC 的额定电压为16V? (输入电压最大值为38.0V)
你(们)好,马歇尔
谢谢、但我不知道。
例如
10uF 6.3V 可以吗? 还是否? TDK CGA3E1X7R0J225K080AC (请 参阅 https://www.digikey.com/product-detail/en/tdk-corporation/CGA3E1X7R0J225K080AC/445-6933-1-ND/2672951)
我将使用2.2uF ~ 10uF 的 MLCC 范围。 但额定电压为6.3V。
很抱歉、我在上一篇帖子中不清楚、让我总结一下我的想法、然后我会向您提供我的建议。
电容在高温下会降低
2.电容随施加的直流电压增大而减小
我们在数据表中指定、我们建议至少使用2.2uF、16V、X7R 电容器、以确保转换器的稳定性。 根据此建议、您应确保电容器不会因其标称值而降额太多、因为较高的直流额定电压电容器会随着施加的直流电压的降低而降低 (如果您有兴趣进一步解释、我有一些很好的资源可供您使用)。
我不建议使用6.3V 电容器、因为这与数据表不一致。 我建议您选择2.2uF、16V 电容器。
如果您希望我查看您的原理图、请随时开始新的主题、我将乐意为您提供一些反馈!