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[参考译文] LM5069：LM5069能否用于具有反极性保护的负输入(-48V)？

admin
Guru**** 1831610 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5067, LM5069, TPS23523
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/725621/lm5069-can-lm5069-be-used-for-negative-input--48v-with-reverse-polarity-protection

器件型号：LM5069
主题中讨论的其他器件：LM5067、 TPS23523

我知道该器件是正极、但我想保护隔离式-48V 输入并在其上添加反极性保护、如应用手册中所述。 由于它是隔离式的、它仍会看到+48V 电压、因此它可以工作吗？

我已经看到用于负输入的 LM5067、但我找不到有关如何将其用于反极性保护的应用手册。

谢谢

  • 0
    TI__Guru**** 1831610 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    尊敬的 David：

    只要 LM5069的 VIN 引脚相对于 GND 的电势较高、它就可以工作。 隔离级输出是否如此？
    您能帮助我们了解-48V 系统对反极性保护的需求吗？ 什么是终端设备？

    此致、
    Rakesh
  • 0
    TI__Guru**** 1831610 points
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    感谢 Rakesh 为您提供快速解答。

    我们的系统基本上将用于-48V 电信电源系统、但在某些情况下、是客户自行使用电源线、因此我们还需要保护电源输入免受反向连接的影响(系统使用-48V、并受到+48V 输入的保护)。  我们在输入端使用隔离式砖型为-48V 系统创建+24V 电压。 因此、我们需要保护它免受+48V 输入的影响。

    我们有 -48V ->  具有反极性保护的热插拔  -> 隔离式砖型、为整个系统输出+24V/GND

    因此、如果"-48V 回路"用作输入电压、"-48V"用作 LM5069的 GND (与系统的+24V 和 GND 完全隔离)、这将起作用、我可以按照 LM5069应用手册进行反极性保护？

    或者、您是否有其他关于可以做什么的建议？ 或许有一个应用手册解释了如何使用负热插拔 LM5067进行反极性保护？ 我对如何使用 FET 的了解并不是很好、因此我更喜欢依赖应用手册或经验丰富的人员来了解这一点！

    谢谢

    David

  • 0
    TI__Guru**** 1831610 points
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    尊敬的 David：

    新器件 TPS23523应满足您的要求。 请看一下。
    我将很快提供更多详细信息。

    此致、
    Rakesh
  • 0
    TI__Guru**** 1831610 points
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    尊敬的 David：

    TPS23523适合您的应用。 请获取 EVM 并开始测试。

    此致、
    Rakesh
  • 0
    TI__Guru**** 1831610 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Rakesh、TPS23523似乎可以像您说 的那样完成工作、但数据表中没有任何内容说明如何在 BGate (Q3)上选择 O 形圈 FET 以实现反极性、即使 Excel 计算工具也未显示 O 形圈 FET。

    是否有任何有关如何选择它的线索？

    谢谢

    David

  • 0
    TI__Guru**** 1831610 points
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    您好！

    如果您想使用 SNVA673的反向电流/极性保护、请参阅以下文章 ：e2e.ti.com/.../2636310

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    TI__Guru**** 1831610 points
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    尊敬的 David：

    OR-ing FET 的选择基于 FET 的 Ron。
    TPS23523器件将 OR-ing FET 上的正向压降调节至25mV。 因此、所选的 FET 应具有 Ron、从而在提供标称负载电流的同时使 FET 上的压降为25mV、从而实现适当调节。
    例如、对于10A 负载、FET Ron 应为2.5m Ω

    此致、
    Rakesh