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[参考译文] BQ40Z50-R1：技术参考手册出错

admin
Guru**** 2496645 points
Other Parts Discussed in Thread: BQSTUDIO, BQ40Z50-R1

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/724644/bq40z50-r1-mistake-on-technical-reference-manual

器件型号：BQ40Z50-R1
主题中讨论的其他器件：BQSTUDIO、

你好！
技术参考表存在问题。 当您查看 Settings > Configurations > FET Options 时、十六进制为20、这意味着默认设置中第5位为高电平。 但技术参考手册(第127页) 显示第5位在描述行中为默认低电平。 但是、当您查看十六进制数和 bqStudio 软件默认值时、会发现第5位为高电平。 我应该如何决定置位或复位该位？

我还想问另一个问题、哪种方法很容易、并尝试为具有4S 电池组的 bq40z50-R1创建新的数据闪存？

谢谢你。

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    TI__Guru**** 2496645 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好！
    9月3日是美国劳动节。 我们将在返回办公室时回复。
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    TI__Guru**** 2496645 points
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    您好！
    感谢您在 TRM 中发现此问题。
    "FET 选项"[位5]默认设置为1、即"FET 选项"= 0x20。
    我将请求更正 TRM 中[bit 5]的描述。
    为您的数据包进行数据闪存配置的最佳文档是 EVM 用户指南： www.ti.com/.../sluuav7
    这可以指导您设置基本配置参数。
    此致、
    Swami
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    TI__Guru**** 2496645 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    我想你听说 Apple 为发现安全漏洞提供了高达200、000美元的奖励:)如果 TI 提供类似的东西是因为我发现了更多错误，那对我来说会很好:)