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[参考译文] TPS92518:TPS92518 EVM 上的 C21

Guru**** 2496595 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS92518

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/724476/tps92518-c21-on-tps92518-evm

器件型号:TPS92518

你好

我们在下面的 TPS92518 EVM 用户指南原理图和 BOM 中看到 C21 (0.1uF)。

http://www.tij.co.jp/jp/lit/ug/sluubm0c/sluubm0c.pdf

 

但是、在实际的 TPS92518 EVM 中、我们发现未 安装 C17。

此外、当我在 C17上添加0.1uF 时、波形 VLED 的下降 (长尾)比 通过并联 FET 进行0.1%调光时的下降更糟。

 

我认为 C17是可选的、因此当 VLEDx 端子上的过冲低于67V (绝对最大值)时、不需要 C17。

我认为移除 C17具有更好的分流 FET 调光性能。

请您发表您的意见吗?

 

此致

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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    尊敬的 Sirs:

    请允许我添加我的问题。

     

    问题2.

    此外、我们还在 TPS92518EVM 上的 R4和 C20上找到缓冲器1k+0.001uF。

    但是、R4和 C20未安装在实际 EVM 中。

     

    该子电路用于减少 SW 引脚上的过冲(如下 所示),这是可选的。

    (硬件上有 Depnds、但 EVM 中不需要)

    是正确的吗?

     

    问题3.

    请在上了解有关 N 沟道 FET (Q2)栅极电阻4.75欧姆(R13)的评论

     TPS92518 EVM 用户指南中的图13。

    这是必需的,还是   可选的?

    在 EVM 中、我们实际上可以看到4.75欧姆。

    在数据表图56中,我们没有看到它。  

     

    此致

     

     

     

     

     

     

     

     

     

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    您好 Kanji、

    如果分流 FET、LED 连接和布局具有低阻抗、则不需要 C21、也不需要 C21进行分流 FET 调光。 最好将保护二极管重新添加到 Vin、以防止出现过压问题。

    该缓冲器、1k Ω 和0.01uF 不会防止过冲。 即使在100mA 过冲时、电阻器的电压也会达到100V (这意味着它不会缓冲)、该值太高、无法成为缓冲器。

    4.75欧姆栅极电阻器执行一些操作。 它可以减缓 MOSFET 的开关边沿、以帮助降低 EMI。 它还可以将 TPS92518内部栅极驱动器的一些功率耗散移至该电阻器。 是否需要? 这取决于所使用的 MOSFET、布局、续流二极管以及辐射和传导的可容忍 EMI。

    此致、

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    尊敬的 Irwin-San
    感谢您的回答!
    我将与客户交谈。
    此致