[参考译文] TPS40170：使用更快的 FET 会导致栅极驱动振荡。

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/718138/tps40170-using-faster-fets-results-in-gate-drive-oscillations

器件型号：TPS40170

您好！

我的问题是在我的设计中保护 Cin 和 Cout、

我遇到振铃问题，希望在我的设计中采用 RC 缓冲电路，以防止振铃问题，

根据我的设计、输入和输出级的命令电容是多少？

我是否应该在输出端切断一些电容器？或者在输入端添加一些内容？您认为什么会导致振铃问题(如果您看一下设计)。？e2e.ti.com/.../DC2DC-TI-qus.docx

7 年多前

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2494635 points

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维克多

典型器件选择本身就不会产生不良振铃。不良振铃通常是由布局造成的。

振铃主要是由于 FET /电感器的寄生电容与环路的寄生电感谐振。较大的环路(来自布局)将产生更多电感、从而产生更多振铃。如果可以选择重新设计布局、请分享、我将向您介绍优化此环路的想法。如果不能选择新布局：

缓冲器肯定会对此有所帮助、但会降低效率。您还可以增加 Rboot (目前看起来是2.2欧姆。可以尝试10欧姆)或添加栅极电阻器。

Sam

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2494635 points

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尊敬的 Sam：

感谢您的快速回复、

根据您观察到的设计、可采用哪些可重新调整的缓冲器 RC 值？

或者、计算它们的有效方法是什么？

B.R

维克多。

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2494635 points

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维克多

我通常从100pF 和10欧姆开始、但本文详细介绍了优化方法。

Sam

电源管理（参考译文帖）

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[参考译文] TPS40170：使用更快的 FET 会导致栅极驱动振荡。