[参考译文] 13s 应用问题

尊敬的 John：
不是、内部电源电压的变化不是问题、因为温度阈值是与用于 VTB 的电源电压的比率。 随着 AVDD 的变化、VTB 也会发生变化。
2.是的、3 + 5 + 5设计应该可以工作。 这将为底部的 FET 驱动器提供更大的电压、但为中间部分的 CTRC/CTRD 提供的电压更小。
在 SCD 期间、VDD 将通过滤波电阻放电。 VDD 是 DSG 的电源、因此一旦下降到足以使输出超出稳压范围、DSG 将开始下降。 如问题2中所示、在底部使用5个电池可提供更大的裕度。 二极管将保持 VDD 电压和 DSG 电压。 担心二极管和保持 VDD 可能是由电池发出的噪声引起的、从而使其进入保护延迟缩短的客户测试模式。 此外、VDD 升高会提高 CTRC 和 CTRD 上所需的电压。
类似地、如果电池上有一个大负载、该负载不会使 SCD 跳闸、但会将 VC5电压降低10V 以上超过50ms、则该器件可以进入客户测试模式。 如果负载下拉的电池电压足以使上部 CHGU 和 DSG 允许 CTRC 和 CTRD 下降到低于 VCTR2大约7ms、FET 可能会关闭。 如果需要、二极管上的电阻器可能允许您调整时间常数。
4.应选择 RLD 来将流入 LD 引脚的电流限制在一个安全水平上、但也要调整器件将看到负载移除的 PACK-电压。 请参阅 bq77905数据表第8.3.2.8段和图11。 RLD 还会影响系统从 UV 条件自动恢复的能力、请参阅图24。

尊敬的虚拟机：

感谢您的回复。

关于3+5+5设计(高端3S、中级5S、低端5S)、可能会影响整个堆叠的 CTRC/D 信号强度。如果 修改 RCTRC&CTRD 电阻值、可以解决信号强度问题吗？