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[参考译文] TPS51116:用于 DDR4的 TPS51116电源参考原理图

Guru**** 2494635 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS51116

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/717376/tps51116-tps51116-power-for-ddr4-reference-schematic

器件型号:TPS51116

大家好、

我们正在深入了解我们的 TPS51116在我的客户端用于 DDR4电源、我们是否有为 TPS51116的 DDR4供电的参考原理图? 条件如下:

VIN=12V、V5IN=5V、VDDQ=1.2V、VTT=0.75V、IVTT=3A

BTW、另一个问题是 TPS51116具有 DCAP 模式和电流模式、哪种模式更适合为 DDR4供电? 为什么?

此致、

Sulyn

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Sulyn、

    在 DDR4应用中、VTT 为0.6V、而不是0.75V。
    我建议使用电流模式、因为它可以为 VDDQ 轨使用所有陶瓷电容器。

    DDR3参考设计可在数据表中获取。
    通过更改连接到 VDDQSET 引脚的电阻分压器、可以将 VDDQ 更改为1.2V。

    谢谢
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    您好、钱

    非常感谢您的支持!

    另一个问题是、电流模式或 DCAP 模式除了负责快速环路之外有什么区别或好处。

    此致、

    Sulyn

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    您好、Sulyn、

    与电流模式相比、DCAP 具有更快的环路响应速度。 这就是 DCAP 模式的优势。
    但 DCAP 模式必须使用较大的 ESR 输出电容器、这是其缺点。

    谢谢