你好
感谢您的支持。
我的客户现在正在为 TPS92518设计 ES 硬件/软件。
TPS92518的困难在于、它们只有一个 PCB、但它们是
使用具有0.1%调光的不同 LED (36V/1A 和12V/1A)。
请参阅随附的 PPT。
问题1.
我们在 TPS92518数据表中看到 tDEL=58ns (typ)、110ns (MAX)。
我们的理解是、110ns 是最坏的情况 、包括 芯片(批次)差异。
在 Ta=150deg-C 和典型芯片的位置、我们可以看到图5上的 tDEL=73ns。
芯片(Lot)之间的差值应为 110-73=37ns。
因此、如果芯片出现差异、我们应该将 tDEL=58ns (typ)+37ns=95ns 视为 Ta=30deg-C？
否则，如果 Ta 较低，则“37ns”要小得多？
问题2.
如果可用、您是否具有 tDEL 的最小值？ (58ns (典型值)/110ns (最大值)...和最小值？？)
问题3.
您是否建议仅进行分流 FET 调光、而不是模拟调光+分流 FET 调光
如果 TOFFMAX 调优良好、分流 FET Rdson 会很小、并且需要仔细使用钳位二极管？
我们提出问题的原因是、如果 ILED=200mA、ILED 有差异取决于
由于 tDEL 的影响，VLED (占空比/开关频率)，甚至相同的 TOFF/PKTH 。
。 请参阅随附的 PPT 文件第4…(A)页。
一个想法是在外部监控 ILED 并通过 MCU 更改 PKTH、但是
客户表示 不容易进行准确的测量。
问题4.
客户打算使用 TRR 为48ns 的开关 FET (随附数据表)。
请 您发表您的意见吗？ (其 TRR 是否太慢？)
问题5.
即使 在相同的 TOFF、相同的 VLED、相同的 Vin、
开关频率的变化 取决于 PKTH。
它也变得越来越高/更低 取决于占空比。
( 请参阅随附的 PPT 第4 (B)和(c)页)
请您就原因发表评论吗？
很抱歉 、每次都有这么复杂的问题、但请您提出建议。
此致
e2e.ti.com/.../VIN_5F00_55V_5F00_36VLED_5F00_12VLED_5F00_english.pptx
