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[参考译文] LM5085:降压60V - gt;12V 10A -无法达到3A 以上

Guru**** 2493565 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5085

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/716029/lm5085-buck-60v---12v-10a---unable-to-reach-above-3a

器件型号:LM5085

您好!

我很难让 LM5085从60V 电源获取12V 10A 输出。

该设计在电流约为3A 之前一直正常工作、高于该值时、它会产生奇怪的噪声、并会损坏 FET 并使其灼伤。 在此之前、它在3A 时运行良好(无加热)。 我用一些大 FET 替换了 FET 进行测试、行为相同、但 FET 仍然存在。

我在测试中使用可变电阻器负载、输出没有什么特别之处。

它似乎与电流限制无关(处于电流限制模式时、行为有所不同)。  

我还尝试增加电感器以获得更高的 Isat 和更高的电感、但没有产生太大的差异。  

如果有任何提示、我们将不胜感激。

谢谢

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    Damien、

    1.确保布局将 VIN 电容器放置在靠近 FET 的位置并形成一个小电流环路。 还要确保 IC 的 VIN 引脚附近有一个小电容。
    2.观察开关节点(其中 D1、FET 和 L1满足要求)。 这是一个相对恒定的矩形波、还是它可以摆动(并且它在更高的负载下能够摆动得更好吗?)。
    3.检查布局是否具有适合 FET 的散热器。 FET 应具有足够的铜来散热。
    4.检查 PGATE 信号是否拉低了 PFET 栅极

    Sam
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    尊敬的 Sam:

    我确实将盖子尽可能靠近放置。

    我对 IRFR9024进行了一些测试、在焊接主散热器之前、它似乎工作正常、这一点我无法重现、其行为与之前描述的相同。

    如果没有负载、它就可以工作、但一旦消耗300mA 电流、FET 就会发热很多。 1A 以上的电流会立即烧坏。

    我已经检查了波形、似乎可以、栅极被拉至-7V 左右、而 mos 应该能够拉至该电压10A。

    栅极上有一些晃动、这可能是原因、如果这在"正常"范围内、或者存在问题、但我不确定原因是什么。

    有一点是、LM5085与 FET 相对较远、栅极的布线约为40mm。 我尝试添加一根额外的导线来降低布线电阻、但没有产生显著的影响。

    虽然它工作了一段时间(我一次可以消耗4.5A 电流几秒钟、因为主 FET 散热器焊盘未焊接)、但我倾向于认为这不是一个主要问题。

     有负载和无负载时的波形没有显著差异。

    该电路板被"黑客入侵"以使用4点感应电阻器添加电流限制。

    黄色是栅极、蓝色是开关节点。

    空载:

    负载

    栅极上有一些晃动

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    Damien、

    我在您的所有焊盘上都看到了散热焊盘、但很难看到 FET 焊盘1和3以及二极管焊盘3。 它们是否还具有散热器?

    Sam