This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
e2e.ti.com/.../Elmantech-vol3-bms.PDF
大家好。
我使用 BQ7791500PWR 设计了3s 2p 电池。 IC 正常工作、但偶然间我接触了 PACK+和 BAT+、因此 DSG 和 CHG 引脚变为低电平。 然后我将其修复、它们开始提供9V 电压(电池电压为10.27)、但我的 FET 不工作。FET 的源极电压为0伏。 栅极电压均为9V。 LD、VTB、TS、OCDP 引脚都为0V。 我控制了电路上的所有连接。 不存在短路情况。 如何解决此问题?
谢谢你。
您好、Alperen、
我看不到部件因同时触摸 PACK+和 BAT+而损坏的任何原因。 这些是相同的节点。
如果栅极电压为9V、则看起来 IC 仍在工作。 我假设 FET 本身可能会损坏? 您可以确认吗?
我从原理图中注意到、您有 BAT -直接连接到 VSS。 您是否将 BAT 的高电流路径与 VSS 分离? 我们建议通过并网或0欧姆电阻器将 BAT-连接到 VSS、以将高充电路径与保护器的低电流分开。 如 BQ77915EVM 原理图所示。
此致、
Luis Hernandez Salomon
您好、Luis 先生、
感谢您的回复。 我也看不到、但确实发生了这种情况。
我测试了 OV 和电池平衡条件。 FET 工作得很好。 我设计了该系统两次。 起初、我观察到电池组+和电池组-之间的电压超过9伏、它们在 OV、UV 和电池平衡条件下工作。现在 DSG 引脚几乎为低电平(70 mV)。 我犯了同样的错误、其中两个(电池连接失败)、它们的行为与此类似。因此、我尝试重新启动不应处于低电平的 IC 引脚。 我需要您对此主题的帮助。
我没有分开,也不知道怎么做。 我将更仔细地检查 BQ77915EVM 数据表。
此致、
Alperen Necdet Ilhan
您好、Alperen、
我不太理解器件是如何损坏的? 您能否澄清一下器件的奇怪行为是什么? 器件根本不能损坏、可能触发了保护。
如果 DSG 较低、原因有很多、请参阅 表9-5。 数据表中的故障条件、状态和恢复方法。
与BQ77915EVM 类似、分离接地端并在单点连接非常重要。 BAT-通过网接(NT1)连接到 VSS。
您需要将高电流路径与低电流路径分开。 这还将提供稳健性、以防止可能损坏器件的 ESD 冲击。 这也是我们在 FET 上添加两个串联电容器以实现 ESD 电流的原因。 但如果没有隔离地并且没有一条直接的路径、这些就会变得有点无用。 以下文档(尽管适用于不同的器件系列)介绍了一些在此处有用的 ESD 注意事项:SLUA368
此致、
Luis Hernandez Salomon
您好、Luis 先生、
首先、我将电池电缆连接到电路的正确位置、但在我的第一个原型中、当我连接 B1电缆时、我意外地将 B1电缆连接到 B2电缆、因此最有可能触发 IC 保护。 我也在另一个上发生了连接错误(我不确定在我的第二个原型中是否完全接触了 PACK+、它显示了相同的行为。 我不确定是否将 PACK+电缆完全接触到 BAT+电缆、可能我接触到 B2)、但我认为 IC 未损坏。
为了供您参考,我测试了我的第二块 BMS 卡以进行 UVP 观察。 IC 工作正常。 以上是我的结果。 您对结果有何看法?
我希望更高效地使用锂离子电池组。 我应该选择 BQ7791500而不是 BQ7791501吗?
非常感谢您提供的信息。
此致、
Alperen Necdet Ilhan
Aperen、您好!
我明白、是的、最有可能触发保护。 很高兴听到 IC 未损坏!
测试对我来说看起来不错。
您选择哪种 IC 取决于您的要求和电池建议。 两个器件都具有不同的 OVP/UVP、OCD/OCC 阈值、因此您必须选择最适合您的要求/需求的器件。 阅读数据表并查看差异。
还强烈建议阅读 数据表的第10节"应用和实施"、有一些好的建议和设计示例可以为您提供帮助。
此致、
Luis Hernandez Salomon
您好、Luis 先生、
好的、我明白了。我决定将 BQ7701506 (锂离子电池底部电压为2.5V、具有2.5 uVP、因此我选择更高效地使用电池组)与 BMS 充电器配合使用、因此我需要对 IC 进行操作以防止 OVP。 我想我可以通过分别向 VC1、VC2和 VC3添加4V、8V 和12V 齐纳二极管来进行操作。 BQ7791506的主要特性是电池平衡和 UVP。 我想使用我在数据表中看到的图9-2和图9-3应用来改善电池平衡、但正如您在5节电池组中看到的那样、您可以通过激活 CBI 引脚来使用相同的值来平衡3节电池组 连接到 VSS? 如果我可以使用相同的形式,我是否选择 N-MOS 或 P-MOS?(我认为 N-MOS)。
e2e.ti.com/.../vol_5F00_4-bms.PDF
此致、
Alperen Necdet Ilhan
Aperen、您好!
这似乎不好。 添加齐纳二极管将不起作用。
您应该选择一个不会从正常电池电压触发 OVP 的器件。
对于外部电池平衡、3s 应该可以、但您绘制的电路不正确。 电阻器应位于 FET 的栅极-源极之间。 尽管对于不同的器件、您的外部电池平衡电路应与图2-2相似。 《使用 BQ769x2电池平衡的外部 N 沟道 FET 的平衡电路》应用手册。
我们倾向于将 N 沟道 FET 更常用于外部电池平衡、但 P 沟道 FET 也可以。 下面是一个参考设计、您可以将其用作外部电池平衡电路的示例: TIDA-010030。
此致、
Luis Hernandez Salomon