[参考译文] TPSM82480：TPSM82480可安装或未达到 Vout 设置

H Andrea、

您能否分享您的原理图和 PCB 布局？  输出端(包括负载端)有多少额外的输出电容？

这种行为是否发生在多个 PCB 上？  您能否共享输入电压、输出电压、FB 和 PG 的波形？

尊敬的 Andrea：

您是否能够解决此问题、或者您是否仍需要对其进行调试？

尊敬的 Chris：

很抱歉迟到了。

就 PCB 布局而言，这是使用数据表提供的布局示例...来实现的  布局与以前的设备相同...

是的，我最近收到的其他 PCB 上的行为也是一样的...

与其他两个器件的主要区别在于负载电容器的数量。

正常工作的设备，它们实际上会看到大约100uF 的东西。。。

不起作用的器件用于提供 Xilinx FPGA 的1.8V Vccaux、并为差分低电压降压转换器(TPS7A8xxx 系列)提供、因此、它实际上可能具有大量的负载电容器。

第一个估计值大约为600uF 或更高....

我很确定这是 TPSM82480上的稳定性/保护问题、而不是负载问题(当我移除 TPSM 并放置外部电源时一切正常)。

我在数据表中发现了几条线路，告诉我，如果使用“大”负载电容器，则必须在 SS 引脚上使用电容器，以避免折返峰值电流限制...

今天我在 SS 引脚上有一个10nF 的电容器... 够了吗？  这是不稳定性的原因吗？

我还尝试使用您提供的 PSPICE 瞬态模型在我的 TINA 中对其进行仿真，但我没有成功地将其转换为原理图宏...  一些线索？

提前感谢

Andrea

尊敬的 Andrea：

感谢您的解释。

600uF 太大。  D/S 的第8.2.2.3节对此进行了说明  600uF 是以电气方式连接到1.8V 输出、还是位于 LDO 之后？  可以减小它吗？   

Vin、Vout、SS/TR 和 EN 的波形将帮助我了解您看到的内容。  但它很可能与输出电容过大有关。

尊敬的 Chris：

是的，我有很多去耦电容器(几百 uF)直接连接到1.8V .... 在 LDO 之前 ...

我了解到4x47uF 只是实现稳定性所必需的、我可以添加更多内容来稳定负载并过滤其他降压/LDO 的拒绝...  我弄错了吗？

为了保持 TPSM 稳定、我真的可以考虑添加哪些负载电容器？

明天早上，我将尝试降低负载电容器，并向您提供示波器屏幕截图，但我想知道不通过的限制是什么...

谢谢

Andrea

尊敬的 Andrea：

遗憾的是、该器件无法区分存在多少电容来实现其稳定性以及存在哪些电容来对负载进行去耦-所有这些电容以电气方式连接到同一网络-模块的输出电压。  这意味着必须考虑所有因素、并将影响稳定性。  D/S 建议使用小于150uF 的有效电容。  这假设陶瓷电容器没有 ESR。  该电容值应是安全的、并使器件保持稳定。

您可能能够在应用中提供更多支持、这可以通过电源模块的波特图来确定。  最好在稳定的系统上运行波特图(移除一些电容器)、然后查看相位裕度。  这是电源稳定性的常用测量方法。

FPGA 是否需要如此大的电容？  现代电源通常不再需要这些高电平值、而现代电源具有更快的控制环路。

尊敬的 Andrea：

感谢您分享测试结果。  您最初只测试了2块电路板吗？  这是一个非常小的样本大小、并且可能是同样的制造/焊接问题影响到这两个器件。

150uF 限值假定为全陶瓷电容。  您的600uF 电容器全部是陶瓷电容器吗？  您能否为超过5uF 的电容器发送实际器件型号？

您是否能够在这些电路上运行波特图？

尊敬的 Andrea：

您是否有机会测量一些波形或波特图？  您使用的是哪种类型的输出电容器？