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[参考译文] 死区时间计算

Guru**** 2386600 points
Other Parts Discussed in Thread: LMG1210, UCC21222-Q1
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/879966/dead-time-calculation

主题中讨论的其他器件:LMG1210UCC21222-Q1

您好!

是否有任何应用手册可用于深入了解 MOSFET 死区时间计算(推挽)。 我已经学习了 SNVA815A (使用 LMG1210 GaN 驱动器通过死区时间控制优化效率)。 但需要公式提供更详细的计算细节。

如果有、请告诉我。

谢谢你。

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    您好、Prajeesh、

    感谢您在 e2e 上了解 LMG1210。

    我从 Valeo 看到您的。 要获得有关这些计算的更多帮助、我将通过私人消息联系我们。

    有关 LMG1210死区时间的其他应用手册、请查看:

    谢谢、

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    您好 Jeff、

    感谢您的回复。 我想了解有关死区时间计算的更多信息。 我使用的是 UCC21222-Q1、我需要进行死区时间计算。 我已经完成了一些应用手册、并找到了如下所述的公式。

    EQ 1:T 死区= [(Tvplat +Tvmiller + Tfvgsth)- Trvgsth]其中、

    Tvplat =平坦时间

    TvMiller - Miller Time

    Tfvgsth -高侧栅极下降时间

    Trvgsth -高侧栅极上升时间

    EQ 2:T 死区=[(TD OFF_max - TD ON_MIN)+[(Tpdd_max - Tpdd_min)]

    Tpdd -传播延迟。

    哪一个更准确? 其他任何计算/公式来找出死区时间。  

    u 可以将我的个人邮件 ID 发送至 prajeeshk86@gmail.com

    因为我从我的个人邮件 ID 发送邮件有一些限制。

    谢谢。

    Prajeesh

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    您好、Prajeesh、

    我认为、公式1将是最准确和相关的、因为它与电源开关直接相关。 只要您知道栅极电压的上升和下降时间、它就会准确、这通常在电源开关或模块数据表中。 请记住、上升/下降时间也取决于栅极电阻、因此您可能需要根据系统进一步调整死区时间。 公式2将根据驱动器的特性提供绝对最小值的概念、但不会告诉您有关电源开关本身的任何信息(这是最重要的参数)。  

    此致、

    Audrey

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    您好、Audrey、

    感谢您的快速回复。 我将使用公式1。

    EQ 1:T 死区= [(Tvplat +Tvmiller + Tfvgsth)- Trvgsth]

    在这里、使用下面的公式找出 Tvplat 和 TvMiller IAM。

    EQ 3:Tvplat = (Rg + Rgext)*(CGS +Ciss)* in [(1-(Vplat-Vgsth)/(VHS -Vgsth))]  

    EQ 4:TMiller =[Qgd +(CGS 外部* VHS)/Vp]* Rg + Rgext

    其中、

    VP =栅极平坦电压

    VHS =高电平高侧输出电压

    请告诉我上述内容是准确的。 还有任何其他公式可用于计算 Tvplat 和 Tmiller。

    等待宝贵的回复。

    谢谢、

    Prajeesh

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    您好、Prajeesh、

    请查看此 应用手册 、以帮助您计算 MOSFET 的上升和下降时间。 它很好地解释了会影响它的变量和因素。

    此致、

    Audrey