您好!
是否有任何应用手册可用于深入了解 MOSFET 死区时间计算(推挽)。 我已经学习了 SNVA815A (使用 LMG1210 GaN 驱动器通过死区时间控制优化效率)。 但需要公式提供更详细的计算细节。
如果有、请告诉我。
谢谢你。
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您好!
是否有任何应用手册可用于深入了解 MOSFET 死区时间计算(推挽)。 我已经学习了 SNVA815A (使用 LMG1210 GaN 驱动器通过死区时间控制优化效率)。 但需要公式提供更详细的计算细节。
如果有、请告诉我。
谢谢你。
您好 Jeff、
感谢您的回复。 我想了解有关死区时间计算的更多信息。 我使用的是 UCC21222-Q1、我需要进行死区时间计算。 我已经完成了一些应用手册、并找到了如下所述的公式。
EQ 1:T 死区= [(Tvplat +Tvmiller + Tfvgsth)- Trvgsth]其中、
Tvplat =平坦时间
TvMiller - Miller Time
Tfvgsth -高侧栅极下降时间
Trvgsth -高侧栅极上升时间
EQ 2:T 死区=[(TD OFF_max - TD ON_MIN)+[(Tpdd_max - Tpdd_min)]
Tpdd -传播延迟。
哪一个更准确? 其他任何计算/公式来找出死区时间。
u 可以将我的个人邮件 ID 发送至 prajeeshk86@gmail.com
因为我从我的个人邮件 ID 发送邮件有一些限制。
谢谢。
Prajeesh
您好、Prajeesh、
我认为、公式1将是最准确和相关的、因为它与电源开关直接相关。 只要您知道栅极电压的上升和下降时间、它就会准确、这通常在电源开关或模块数据表中。 请记住、上升/下降时间也取决于栅极电阻、因此您可能需要根据系统进一步调整死区时间。 公式2将根据驱动器的特性提供绝对最小值的概念、但不会告诉您有关电源开关本身的任何信息(这是最重要的参数)。
此致、
Audrey
您好、Audrey、
感谢您的快速回复。 我将使用公式1。
EQ 1:T 死区= [(Tvplat +Tvmiller + Tfvgsth)- Trvgsth]
在这里、使用下面的公式找出 Tvplat 和 TvMiller IAM。
EQ 3:Tvplat = (Rg + Rgext)*(CGS +Ciss)* in [(1-(Vplat-Vgsth)/(VHS -Vgsth))]
EQ 4:TMiller =[Qgd +(CGS 外部* VHS)/Vp]* Rg + Rgext
其中、
VP =栅极平坦电压
VHS =高电平高侧输出电压
请告诉我上述内容是准确的。 还有任何其他公式可用于计算 Tvplat 和 Tmiller。
等待宝贵的回复。
谢谢、
Prajeesh