[参考译文] BQ24773：查看原理图

您好、Vlad、

在未组装外部 PMOS BATFET 的情况下、不能使用此充电器。 由于采用 NVDC 架构、即使您不需要单独调节的系统电压、充电器也要求它正确运行线性模式并正确禁用充电。

我还担心使用较低的 RSR 电阻器会影响稳压。 2m Ω 可能过低、转换器无法正常工作。 应考虑使用5m Ω 作为最小值。  

我还会注意输出电容过大。 如果没有您拥有的电容和电感、谐振滤波器频率约为3.2kHz。 相反 、根据设计、10kHz 是最小电容(请参阅数据表的第9.2.2.4节"输出电容器")。

此致、

Joel H

您好、Vlad、

即使考虑到直流偏置效应、您添加的100uF 极化电容器在很大程度上不会看到直流偏置效应、除非它也是陶瓷电容器。

i 铝电解、铝聚合物或钽聚合物、我会考虑将其降低到68uF 或47uF、以保证安全。 提供直流偏置、陶瓷电容器@ 3x22uF x 20%降额在最坏的情况下、电容器降至大约13uF。 C13、C15和 C18也是一个额外的66uF 电容、我会将其移除或显著降低。 作为参考、该 EVM 在此节点上仅具有10uF 的电容。  

我们还建议在 BAT 引脚和电池连接点之间添加10 Ω 电阻器。 您可以参考 EVM 原理图组件 R23。  

在原理图上、您能确认 C12的值吗？ 是0.1 μ F、还是更大？ 如果较大、请减小到0.1uF。  

请记住、您还已将 ILIM 引脚拉至接地、无需任何电阻分压器。 这没问题、但请注意、您需要更改寄存器设置以忽略此引脚。

我们还建议在 LSFET 栅极-源极之间添加470pF 电容器、以帮助减轻 CGD 的影响。  

此致、

Joel H