[参考译文] CSD13383F4：如何在此应用中最大限度地降低功耗？

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/878067/csd13383f4-how-to-minimize-power-dissipation-in-this-application

 您好 FET 团队、

询问客户的问题-

我必须并联超级电容器。 一个是3F、另一个是0.5F。 我首先为小电容器充电至1V。 大电容器将该 FET 串联、作为接地开关。 当第一个小电容达到1V 时、我打开 FET、基本上将它们并联。 当在大约(1/6) V 的电压达到167mV 的平衡时、会在最初时出现大电流、然后衰减

对于0.5F 电容器、总串联电阻为0.3 Ω、对于3F 电容器、总串联电阻为0.07 Ω。 根据 DS、FET 为44m Ω。

我使用3.3V VGS 打开 FET。

该器件的尺寸虽小、但具有极高的吸引力 持续功耗仅为0.5W。

我可以增加额外的串联电阻、但可能不超过1-2欧姆。

我可以做的另一件事是、我宁愿不添加串联 R、而是通过在栅极上放置一个较大的 RC 时间常数来缓慢打开 FET、从而增加其 Rdson 并限制初始电流尖峰。

您会推荐什么？

谢谢、
劳伦