[参考译文] LMG1020：如果连接到 GaNFET (EPC2001C)、如何缩短上升时间(TR)

尊敬的 Tianlei：

感谢您深入了解 lmg1020。

感谢您共享调试信息。

如果两个评估板上都出现问题、则可能是激光负载导致 tr 较长。

您使用的是什么激光器？ 激光导线的长度是多少？ 对于低电感电源环路、它们应尽可能短。 1英寸已经很长了。 20nH 的电源环路电感得到增益。 1nH 是激光雷达的目标。

由于寄生源电感阻止 GaN 关断、这可能会导致较长的下降时间。

上升时间较长可能是由类似的影响造成的。

您能否使用 SMD 激光二极管实现1ns tr？

谢谢、

尊敬的 Jeff：

感谢您重放。

我使用1W VCSEL、其封装为3mmx3mm。  

激光引线非常短。 当我们对驱动器板进行设计时、我们会将激光、放电电电容器、EPC2001C 和 LMG1020塑离尽可能近。  

对于 EPC9126评估板、我认为它也应该遵循设计规则。 因此、两个电路板都应具有短引线。  

现在、我不关注激光的上升/下降时间。 我将重点介绍 LMG1920在有负载时的上升/下降时间。  

同样、如果 LMG1020剂量没有负载、但在焊接 GaNFET (EPC2001C)时 LMG1020的上升时间变为3ns、我可以获得400ps 的上升时间。

我还做了以下实验、但不会改变任何东西。 我想我所说的长上升时间是由 GaNFet 之后的激光或电路布局引起的。  

1.使用或不使用激光。

2.打开或关闭激光更换电源。  

尊敬的 Tianlei：

感谢您的详细更新。

您能否确认从1020输出到 GaN 栅极的栅极电阻？

3ns 的上升时间可能意味着一个10欧姆的栅极电阻器。

0欧姆可用于实现400PS tr、因为长时间的振荡和热性能正常。

谢谢、

您好 Jeffrey、

感谢你的答复。

如果 LMG1020中没有 GaNFET、则尽管存在0欧姆、2欧姆或10欧姆、但 I 测得的上升时间为400ps。

3ns 上升时间是在 栅极电阻之后测量 GaNFET (EPC2001C)时测试点晶圆0 Ω 或2 Ω 栅极电阻。  

我的要点是 GaNFET 会影响 LMG1920的上升时间、原因可能是 GaNFET 的电容器或 LMG1020驱动电流太小。  

天列

尊敬的 Jeff：

是的、我确认 GaN 和 LMG1020未损坏。  

我测试了几个我的板和一个 EPC 评估板：EPC9126、结果相同。  

随函附上 EPC9126的文件。  

我可以给您发送电子邮件、并单独向您发送我们的设计文件吗？

谢谢。  e2e.ti.com/.../EPC9126xx_5F00_qsg_2D00_rev3.pdf